[发明专利]三维存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202180017818.2 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN116114395A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 杜小龙;高庭庭;夏志良;孙昌志;刘佳裔;刘小欣 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
本申请提供了一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括堆叠结构，堆叠结构包括第一堆叠层和第二堆叠层，第一堆叠层包括交替堆叠的控制栅极层和第一介质层，沿相同的堆叠的方向，第二堆叠层包括交替堆叠的顶部选择栅极层和第二介质层；多个沟道结构，沟道结构贯穿堆叠结构，沟道结构包括电荷存储层，电荷存储层包括沿堆叠的方向间断设置的多个电荷存储部分，电荷存储部分设于相邻的所述第一介质层之间；以及至少一个隔离结构，贯穿顶部选择栅极层且位于相邻的沟道结构之间。本申请实施方式提供三维存储器及制造方法能够维持顶部选择栅切线的工艺窗口不变，减少存储密度损失。
PCT国内申请，说明书已公开。
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