[发明专利]分析功率半导体装置的操作

权利要求书

1.一种用于分析功率半导体装置(PS1，PS2，PS3)的操作的方法，其中该方法包括

-提供装置(PS1，PS2，PS3)的参考电压(Vn，Vn+1，…VN)的集合和对应的参考电流(In，In+1，…IN)的集合；

-测量在预定的时间间隔内装置(PS1，PS2，PS3)的Nframe个导通状态电压(Vmeas(1)，…Vmeas(k)，…Vmeas(Nframe))和Nframe个对应的导通状态电流(Imeas(1)，…Imeas(k)，…(Imeas(Nframe))，以获得Nframe个测量点(MP(1)，…MP(k)，…MP(Nframe))，其中Nframe是等于或大于2的整数；

-通过对Nframe个测量点(MP(1)，…MP(k)，…MP(Nframe))进行最小二乘拟合，来调整参考电压(V1，…Vn，…VN)的集合；以及

-使用经调整的参考电压(V1，…Vn，…VN)的集合分析功率半导体装置(PS1，PS2，PS3)的操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，分析包括基于经调整的参考电压(V1，…Vn，…VN)的集合来估计装置(PS1，PS2，PS3)的结温(Tj)。

3.根据权利要求1或2之一所述的方法，其中，对于最小二乘拟合，假定每两个相邻测量点(MP(1)，…MP(k)，…MP(Nframe))之间的分段线性近似。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中，最小二乘拟合包括

-定义每个参考电流(I1，…In，…IN)的有效性因子(W1，…Wn，…WN)，其中有效性因子(W1，…Wn，…WN)表示测得的导通状态电流(Imeas(1)，…Imeas(k)，…Imeas(Nframe))与参考电流(I1，…In，…IN)中的每一个有多近；

-确定每个测量点(MP(1)，…MP(k)，…MP(Nframe))的有效性因子(W1，…Wn，…WN)的集合，得到有效性因子(Wn(1)，…Wn(k)，…WN(Nframe))的Nframe个集合。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，以如下方式定义有效性因子(W1，…Wn，…WN)，使得当测得的导通状态电流(Imeas(1)，…Imeas(k)，…Imeas(Nframe))等于某个参考电流(I1，…In，…IN)时，与所述参考电流(In，…In，…IN)相关联的有效性因子(W1，…Wn，…WN)等于1，而当测得的导通状态电流(Imeas(1)，…Imeas(k)，…Imeas(Nframe))等于相邻的参考电流(I2，…In+1，…IN-1)时，与所述参考电流(I1，…In，…IN)相关联的有效性因子(W1，…Wn，…WN)等于0。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，对于预定义的时间间隔内的测量点(MP(k))，由以下方程组定义有效性因子(W1，…Wn，…WN)：

对于I₁≤I_meas(k)≤I₂,以及

w₁(k)＝0对于I_meas(k)＜I1和I_meas(k)＞I₂；

...

对于I_n-1≤I_meas(k)≤I_n,

对于I_n≤I_meas(k)≤I_n+1,以及

w_n(k)＝0对于I_mcas(k)＜In-1和I_meas(k)＞I_n+1；

...

对于I_N-1≤I_meas(k)≤I_N,以及w_N(k)＝0对于I_meas(k)＜IN-1和I_meas(k)＞I_N。