[发明专利]使用隧穿电流的放大器偏置控制

权利要求书

1.一种差分电荷耦合放大器电路，包括：

第一电容器，所述第一电容器具有第二端和被配置成接收输入信号的第一端；

第二电容器，所述第二电容器具有第二端和耦接至所述第一电容器的第二端的第一端；

第三电容器，所述第三电容器具有第二端和被配置成接收反相输入信号的第一端；

第四电容器，所述第四电容器具有第二端和耦接至所述第三电容器的第二端的第一端；

第五电容器，所述第五电容器具有第一端和第二端，所述第二端耦接至地；

第一放大器，所述第一放大器包括：

具有栅极、漏极和源极的第一PMOS晶体管，所述栅极耦接至所述第三电容器的第二端；

具有栅极、漏极和源极的第二PMOS晶体管，所述栅极耦接至所述第一电容器的第二端；

第一输出级，所述第一输出级具有反相输入端、非反相输入端和输出端，所述反相输入端耦接至所述第五电容器的第一端，并且所述输出端被配置成供应输出信号的反量；

第一控制电路，所述第一控制电路耦接至所述第一输出级的输出端、所述第一输出级的非反相输入端和所述第二PMOS晶体管的漏极，并且所述第一控制电路被配置成基于所述第一输出级的输出来调整所述第二PMOS晶体管的漏极处的电压；

电流源，所述电流源连接至电源并且被配置成：将电流供应至所述第一PMOS晶体管的源极和所述第二PMOS晶体管的源极；

第二放大器，所述第二放大器包括：

具有栅极、漏极和源极的第一NMOS晶体管，所述栅极耦接至所述第三电容器的第二端和所述第一PMOS晶体管的栅极，所述漏极耦接至所述第一PMOS晶体管的漏极，并且所述源极耦接至地；

具有栅极、漏极和源极的第二NMOS晶体管，所述栅极耦接至所述第一电容器的第二端和所述第二PMOS晶体管的栅极，所述漏极耦接至所述第二PMOS晶体管的漏极，并且所述源极耦接至地；

第二输出级，所述第二输出级具有反相输入端、非反相输入端和输出端，所述反相输入端耦接至所述第五电容器的第一端，并且所述输出端被配置成供应所述输出信号；

第二控制电路，所述第二控制电路耦接至所述第二输出级的输出端、所述第二输出级的非反相输入端和所述第一NMOS晶体管的漏极，并且所述第二控制电路被配置成基于所述第二输出级的输出来调整所述第一NMOS晶体管的漏极处的电压；

其中，所述第一PMOS晶体管上的栅极氧化物层的厚度、所述第二PMOS晶体管上的栅极氧化物层的厚度以及所述第一NMOS晶体管上的栅极氧化物层的厚度、所述第二NMOS晶体管上的栅极氧化物层的厚度使得电流能够从栅极氧化物层下方的沟道流过所述栅极氧化物层。

2.根据权利要求1所述的差分电荷耦合放大器电路，其中，所述第一输出级和所述第二输出级各自包括标称增益为1的推挽驱动器。

3.根据权利要求1所述的差分电荷耦合放大器电路，其中，所述第一PMOS晶体管上的栅极氧化物层的厚度、所述第二PMOS晶体管上的栅极氧化物层的厚度以及所述第一NMOS晶体管上的栅极氧化物层的厚度、所述第二NMOS晶体管上的栅极氧化物层的厚度小于2纳米。

4.根据权利要求1所述的差分电荷耦合放大器电路，其中，所述第一控制电路还包括：

第一电阻器，所述第一电阻器具有第二端和耦接至所述第一输出级的输出端的第一端；

第六电容器，所述第六电容器具有第二端和耦接至所述第一电阻器的第二端的第一端；

第一反相放大器，所述第一反相放大器具有耦接至所述第一电阻器的第二端的输入端；以及

第一电压加法器，所述第一电压加法器具有：耦接至所述第六电容器的第二端和所述第一反相放大器的输出端的输入端、耦接至所述第一输出级的非反相输入端以及所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极的输出端。