[发明专利]光电转换元件和包括该光电转换元件的光电转换器件在审
申请号: | 202180022484.8 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN115315823A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 渡部博之;丸山晃洋;山合达也;加来贤一;渡边俊太郎;久野纯平;野口和范;姉崎隆志;中村延博;牧角康平 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;C07D471/04;C07D403/14;H01L51/46;C07D487/04;C07D251/34;C07D251/70 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 包括 器件 | ||
1.一种光电转换元件,其包括:第一电极;第二电极;配置在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层;和配置在所述第一电极和所述第二电极之一与所述光电转换层之间的反射层,
其特征在于,所述反射层在可见光区域中的反射率为最大的波长在所述光电转换层的光吸收系数为可见光区域中最大光吸收系数的1/5以上的波长范围内。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中所述反射层包含体积平均粒径为50nm至600nm的颗粒。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件,其中所述反射层包含体积平均粒径为70nm至500nm的颗粒。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的光电转换元件,其中所述反射层包含体积平均粒径为90nm至400nm的颗粒。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的光电转换元件,其中从所述反射层反射并且透过所述光电转换层的光具有20≤L*、30≤c*、和0≤h*≤90的L*c*h*颜色空间。
6.根据权利要求5所述的光电转换元件,其中47≤c*。
7.根据权利要求5所述的光电转换元件,其中20≤L*、42≤c*和0≤h*≤50。
8.根据权利要求5所述的光电转换元件,其中20≤L*、47≤c*和50≤h*≤90。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的光电转换元件,其中所述光电转换层为包含钙钛矿化合物的钙钛矿层。
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的光电转换元件,其中所述反射层包含树脂,并且所述反射层中颗粒/所述树脂的重量比为100/1至2/1。
11.一种光电转换元件,其依次包括:阳极;包含钙钛矿化合物的第一层;导电性的第二层;和阴极,
其特征在于,所述第二层至少包含导电性颗粒,所述导电性颗粒包括核颗粒和组成或材料与所述核颗粒不同的导电性的被覆层。
12.根据权利要求11所述的光电转换元件,其中所述导电性颗粒的由平均长轴直径a与平均短轴直径b之比a/b表示的纵横比为3.0以下。
13.根据权利要求11或12所述的光电转换元件,其中所述被覆层由金属氧化物制成。
14.根据权利要求13所述的光电转换元件,其中所述金属氧化物为选自氧化锡、氧化锌和氧化钛的任意一者。
15.根据权利要求14所述的光电转换元件,其中所述氧化锡掺杂有选自由铌、钽、磷、钨和氟组成的组中的元素。
16.根据权利要求14所述的光电转换元件,其中所述氧化锌掺杂有选自铝和镓的元素。
17.根据权利要求14所述的光电转换元件,其中所述氧化钛掺杂有选自铌和钽的元素。
18.根据权利要求15至17中任意一项所述的光电转换元件,其中所述被覆层中的所述掺杂的元素的量为0.5质量%至10.0质量%。
19.根据权利要求11至18中任意一项所述的光电转换元件,其中所述核颗粒由金属化合物制成。
20.根据权利要求19所述的光电转换元件,其中所述金属化合物选自氧化钛、钛酸锶、钛酸钡和硫酸钡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择