[发明专利]透明导电层和透明导电性片

说明书

透明导电层3具备第一主面5和在厚度方向上与第一主面5相对的第二主面6。透明导电层3具有：第一晶界7，其在剖视时的两个端部边缘23均朝着第一主面5敞开，且两个端部边缘23之间的中间区域25不接触第二主面6；以及第一晶粒31，其被第一晶界7隔开，且仅面向第一主面5。透明导电层3含有原子序数比氩原子大的稀有气体原子。

技术领域

本发明涉及透明导电层和透明导电性片。

背景技术

以往，具备结晶质的透明导电层的透明导电性片是已知的。

例如，提出了具备透光性导电层的透光性导电薄膜，所述透光性导电层具有多个晶粒(例如参照下述专利文献1)。

专利文献1所记载的透光性导电层中存在将上述多个晶粒隔开的晶界从透光性导电层的上表面遍及至下表面的晶界。

另外，专利文献1的透光性导电层通过蚀刻而形成布线图案。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-41059号公报

发明内容

发明要解决的问题

透光性导电层出于形成布线图案、外观设计性等理由而有时被蚀刻。近年来，为了提高蚀刻工序的生产率，对透光性导电层要求高蚀刻速度。但是，专利文献1中记载的透光性导电层存在无法满足上述要求的不良情况。

另外，对这种透光性导电层要求低电阻。

本发明提供电阻低且蚀刻速度高的透明导电层和透明导电性片。

用于解决问题的方案

本发明[1]是一种透明导电层，其具备第一主面和在厚度方向上与前述第一主面相对的第二主面，所述透明导电层具有：晶界，其在剖视时的两个端部边缘均朝着前述第一主面敞开，且两个端部边缘之间的中间区域不接触第二主面；以及第一晶粒，其被前述晶界隔开，且仅面向前述第一主面，所述透明导电层含有原子序数比氩原子大的稀有气体原子。

本发明[2]包括上述[1]所述的透明导电层，其包括区域，所述区域是在与前述厚度方向正交的面方向上延伸的单一层。

本发明[3]包括上述[1]或[2]所述的透明导电层，其还具有第二晶界，所述第二晶界朝着将前述第一主面的一个端部边缘与前述第二主面的一个端部边缘连结的侧面敞开。

本发明[4]包括上述[1]～[3]中任一项所述的透明导电层，其中，前述透明导电层的材料为含锡的氧化物。

本发明[5]包括一种透明导电性片，其具备：上述[1]～[4]中任一项所述的透明导电层；以及基材层，其位于前述透明导电层的前述第二主面侧。

发明的效果

本发明的透明导电层具有晶界和第一晶粒，所述晶界在剖视时的两个端部边缘均朝着第一主面敞开，且两个端部边缘之间的中间区域不接触第二主面，所述第一晶粒被晶界隔开，且仅面向第一主面。

在该透明导电层中，若蚀刻液接触第一主面，则蚀刻液容易从两个端部边缘向晶界中浸入。因此，被该晶界隔开的第一晶粒容易发生剥离。其结果，透明导电层的蚀刻速度高。

另外，该透明导电层包含原子序数比氩原子大的稀有气体原子。详细而言，利用溅射法来制造透明导电层时，源自溅射气体的原子被收进透明导电层中。这种源自溅射气体的原子会阻碍透明导电层的结晶化。其结果，透明导电层的电阻率变高。