[发明专利]磁控等离子体成膜装置在审
申请号: | 202180025338.0 | 申请日: | 2021-03-26 |
公开(公告)号: | CN115398028A | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 森地健太;齐藤正一朗 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;H01L21/3205;H01L21/768 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 装置 | ||
1.一种磁控等离子体成膜装置,其特征在于,
该磁控等离子体成膜装置具备:
成膜辊;和
磁控等离子体单元,其与所述成膜辊相对配置,
所述磁控等离子体单元具备:
旋转靶,其轴线在与所述成膜辊的轴线相同的方向上延伸;和
磁体单元,其配置于所述旋转靶的径向内侧,
所述磁体单元具备:
第1磁极部;和
第2磁极部,其在与第1方向正交的第2方向上与所述第1磁极部相邻,该第1方向沿着连结所述成膜辊的轴线和所述旋转靶的轴线的线段,
所述第1磁极部和所述第2磁极部各自在所述第2方向上依次具有第1区域、第2区域、以及第3区域,
所述第1区域、所述第2区域、所述第3区域各自具有将磁化方向分解为所述第1方向和所述第2方向而得到的第1分量和第2分量中的至少一个,
在所述第1区域中,所述第1分量比所述第2分量大,
在所述第2区域中,所述第1分量比所述第2分量小,
在所述第3区域中,所述第1分量比所述第2分量大,与所述第1区域中的所述第1分量反向。
2.根据权利要求1所述的磁控等离子体成膜装置,其特征在于,
所述第1区域和所述第3区域各自主要具有所述第1分量,
所述第2区域主要具有所述第2分量。
3.根据权利要求1所述的磁控等离子体成膜装置,其特征在于,
所述第1区域与所述第2区域连续,
所述第2区域与所述第3区域连续,
在所述第1区域中,所述第1分量随着朝向所述第2区域而变小,
在所述第3区域中,所述第1分量随着朝向所述第2区域而变小。
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