[发明专利]磁控等离子体成膜装置在审

专利信息
申请号: 202180025338.0 申请日: 2021-03-26
公开(公告)号: CN115398028A 公开(公告)日: 2022-11-25
发明(设计)人: 森地健太;齐藤正一朗 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;H01L21/3205;H01L21/768
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 装置
【权利要求书】:

1.一种磁控等离子体成膜装置,其特征在于,

该磁控等离子体成膜装置具备:

成膜辊;和

磁控等离子体单元,其与所述成膜辊相对配置,

所述磁控等离子体单元具备:

旋转靶,其轴线在与所述成膜辊的轴线相同的方向上延伸;和

磁体单元,其配置于所述旋转靶的径向内侧,

所述磁体单元具备:

第1磁极部;和

第2磁极部,其在与第1方向正交的第2方向上与所述第1磁极部相邻,该第1方向沿着连结所述成膜辊的轴线和所述旋转靶的轴线的线段,

所述第1磁极部和所述第2磁极部各自在所述第2方向上依次具有第1区域、第2区域、以及第3区域,

所述第1区域、所述第2区域、所述第3区域各自具有将磁化方向分解为所述第1方向和所述第2方向而得到的第1分量和第2分量中的至少一个,

在所述第1区域中,所述第1分量比所述第2分量大,

在所述第2区域中,所述第1分量比所述第2分量小,

在所述第3区域中,所述第1分量比所述第2分量大,与所述第1区域中的所述第1分量反向。

2.根据权利要求1所述的磁控等离子体成膜装置,其特征在于,

所述第1区域和所述第3区域各自主要具有所述第1分量,

所述第2区域主要具有所述第2分量。

3.根据权利要求1所述的磁控等离子体成膜装置,其特征在于,

所述第1区域与所述第2区域连续,

所述第2区域与所述第3区域连续,

在所述第1区域中,所述第1分量随着朝向所述第2区域而变小,

在所述第3区域中,所述第1分量随着朝向所述第2区域而变小。

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