[发明专利]微机电系统及其制造方法

权利要求书

1.一种微机电系统(10)的制造方法，包括以下步骤：

■在基板(13)上形成(30)机电元件(11)；

■制备(31)封装包装(18)，以形成集成所述机电元件(11)的密封腔室(12)，所述密封腔室(12)具有小于10mm³的体积；

■在所述基板(13)上或在所述封装包装(18)的壁(17)上物理气相沉积(32)吸气剂膜(15)，使得所述吸气剂膜(15)具有小于8m²/g的比吸收表面积；在不存在所述基板(13)的涉及稀有气体(13)的任何预先清洁的情况下，将所述吸气剂膜(15)沉积在所述基板(13)上；以及

■借助于具有能够活化所述吸气剂膜(15)的温度的热密封循环将所述封装包装(18)密封(33)在所述基板(13)上。

2.根据权利要求1所述的微机电系统的制造方法，其中，所述吸气剂膜(15)的物理气相沉积在低于10^-7毫巴的压力下进行。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的微机电系统的制造方法，其中，所述密封(33)在250℃至350℃范围内的温度下进行。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的微机电系统的制造方法，其中，所述吸气剂膜(15)包括以下元素中的至少一种：钡、镧、钪、钛、锆、铌、钇、钒、铪、钽、铁、钴、镍、钯、铂和铝，单独或以混合物形式。

5.根据权利要求4所述的微机电系统的制造方法，其中，所述吸气剂膜(15)由钛-钇合金制成。

6.一种微机电系统(10)，其包括：

■基板(13)，其支撑机电元件(11)；

■封装包装(18)，其附接到所述基板(13)以形成集成所述机电元件(11)的密封腔室(12)；以及

■吸气剂膜(15)，其沉积在密封腔室(12)中的所述基板(13)上或所述封装包装(18)的壁(17)上；

其中

■所述密封腔室(12)具有小于10mm³的体积；

■并且所述吸气剂膜(15)具有小于8m²/g的比吸收表面积；在不存在所述基板(13)的涉及稀有气体(13)的任何预先清洁的情况下，将所述吸气剂膜(15)沉积在所述基板(13)上。

7.根据权利要求6所述的微机电系统，其中，所述吸气剂膜(15)包括以下元素中的至少一种：钡、镧、钪、钛、锆、铌、钇、钒、铪、钽、铁、钴、镍、钯、铂和铝，单独或以混合物形式。

8.根据权利要求7所述的微机电系统，其中，所述吸气剂膜(15)由钛-钇合金制成。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的微机电系统，其中，所述密封腔室(12)具有小于5.10^-2毫巴的真空水平。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的微机电系统，其中，所述密封腔室(12)具有小于2mm³的体积。

11.根据权利要求6至10中任一项所述的微机电系统，其中，所述机电元件(11)对应于至少一个微测辐射热计。