[发明专利]用气相注入敏化剂对EUV干式抗蚀剂进行敏化的装置和工艺

权利要求书

1.一种堆叠件，其包括：

半导体衬底，其具有顶表面；以及

敏化膜，其设置于所述半导体衬底的所述顶表面上，其中所述膜包括极紫外光(EUV)抗蚀剂材料和分散于整个所述膜的EUV敏化剂。

2.根据权利要求1所述的堆叠件，其中所述EUV敏化剂包括碘或氙。

3.根据权利要求2所述的堆叠件，其中所述EUV敏化剂为I₂、HI、包含有经碘取代的烷基的有机金属前体、其前体、¹³³Xe、¹³⁶Xe、¹²⁹Xe、或这些氙同位素中的任何一些的组合。

4.一种堆叠件，其包括：

半导体衬底，其具有顶表面；以及

敏化膜，其设置于所述半导体衬底的所述顶表面上，其中所述膜包括极紫外光(EUV)抗蚀剂材料和包含有氙的EUV敏化剂。

5.根据权利要求4所述的堆叠件，其中所述EUV敏化剂为¹³³Xe、¹³⁶Xe、¹²⁹Xe、或这些中的任何一些的组合。

6.根据权利要求1-5所述的堆叠件，其中所述EUV抗蚀剂材料包括有机金属材料，且其中所述有机金属材料任选地进一步包括经碘取代的烷基。

7.一种形成敏化膜的方法，所述方法包括：

在室内提供半导体衬底；以及

输送极紫外光(EUV)抗蚀剂材料或其前体以及EUV敏化剂至所述室，其中所述EUV抗蚀剂材料或其所述前体以及所述EUV敏化剂能以任何顺序依次输送或同时输送，且其中所述EUV抗蚀剂材料或其所述前体以及所述EUV敏化剂被以气体形式提供，从而在所述半导体衬底的顶表面上形成所述敏化膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述EUV敏化剂被提供作为包含有所述EUV抗蚀剂材料或其所述前体的蒸气的推动气体、作为所述EUV抗蚀剂材料或其所述前体的起泡气体、或作为输送至所述室的稀释剂。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述输送进一步包括：

输送一种或更多种逆反应物至所述室。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述EUV敏化剂被提供作为所述一或更多种逆反应物的推动气体。

11.一种用于形成敏化膜的方法，所述方法包括：

在半导体衬底的顶表面上沉积膜，其中所述膜包括极紫外光(EUV)抗蚀剂材料；以及

在室中且在气体形式的EUV敏化剂存在下加热所述膜，从而在所述半导体衬底的所述顶表面上形成所述敏化膜，其中所述敏化膜包括所述EUV抗蚀剂材料和所述EUV敏化剂。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述沉积包括热原子层沉积、旋涂沉积、电子束蒸镀或其组合。

13.一种用于形成敏化膜的方法，所述方法包括：

提供包含有至少残留量的极紫外光(EUV)敏化剂的室；

在所述室内提供半导体衬底；以及

输送EUV抗蚀剂材料至所述室，从而在所述半导体衬底的所述顶表面上形成所述敏化膜，其中所述敏化膜包括所述EUV抗蚀剂材料和所述EUV敏化剂。

14.根据权利要求7-13所述的方法，其进一步包括，在所述输送之后：

在真空环境中通过波长范围约10nm至约20nm的EUV暴露对所述敏化膜进行图案化，其中相比于不含所述EUV敏化剂的对照膜，所述EUV暴露在所述敏化膜内产生额外的一级光电子和/或二级光电子。