[发明专利]二维光子晶体激光器

权利要求书

1.一种二维光子晶体激光器，其特征在于，具备：

a)基板，其由n型半导体构成；

b)p型半导体层，其设置在所述基板的上侧，由p型半导体构成；

c)活性层，其设置在所述p型半导体层的上侧；

d)二维光子晶体层，其设置在所述活性层的上侧，是在由n型半导体构成的板状的母材内周期性地配置由折射率与该母材的折射率不同的材料构成的异折射率区域而形成的；

e)第一隧穿层，其设置在所述基板与所述p型半导体层之间，由载流子密度比所述基板的载流子密度高的n型半导体构成；

f)第二隧穿层，其以与所述第一隧穿层接触的方式设置在该第一隧穿层与所述p型半导体层之间，由载流子密度比所述p型半导体层的载流子密度高的p型半导体构成；

g)第一电极，其设置在所述基板的下侧或所述基板内；以及

h)第二电极，其设置在所述二维光子晶体层的上侧。

2.根据权利要求1所述的二维光子晶体激光器，其特征在于，

在所述第二隧穿层与所述p型半导体层之间还具备使在所述二维光子晶体层生成的激光反射的反射层。

3.根据权利要求1所述的二维光子晶体激光器，其特征在于，

在所述二维光子晶体层与所述第二电极之间还具备使在所述二维光子晶体层生成的激光反射的反射层。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的二维光子晶体激光器，其特征在于，

还具备槽，所述槽从所述二维光子晶体激光器的上侧的表面起进行设置，所述槽在所述基板的上表面与下表面之间的位置具有底面，所述槽的与所述二维光子晶体层平行的截面的形状为框状，

所述第一电极设置在所述槽的底面。

5.根据权利要求1或2所述的二维光子晶体激光器，其特征在于，

所述基板和所述二维光子晶体层的母材的材料是n型的GaAs或n型的AlGaAs，

所述p型半导体层的材料是p型的GaAs或p型的AlGaAs，

所述第一隧穿层的材料是n型的InGaAs，

所述第二隧穿层的材料是p型的InGaAs。

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的二维光子晶体激光器，其特征在于，

所述母材的整体或一部分由未被进行载流子掺杂的半导体构成，来代替由n型半导体构成。