[发明专利]正极活性物质、正极、二次电池、电子设备及车辆在审

专利信息
申请号: 202180027575.0 申请日: 2021-03-31
公开(公告)号: CN115398676A 公开(公告)日: 2022-11-25
发明(设计)人: 铃木邦彦;门马洋平;三上真弓;高桥辰义;岩城裕司 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01M4/525 分类号: H01M4/525;H01G11/06;H01G11/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张桂霞;梅黎
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 正极 活性 物质 二次 电池 电子设备 车辆
【权利要求书】:

1.一种包含钴、氧及氟的正极活性物质,所述正极活性物质的表层部或晶界附近包含所述钴与所述氟的键合。

2.一种包含锂、钴、氧及氟的正极活性物质,

其中,所述钴的一部分在放电状态下为二价。

3.一种包含钴、氧及氟的正极活性物质,

其中,至少一部分呈现顺磁性。

4.根据权利要求3所述的正极活性物质,

其中通过电子自旋共振波谱得到的g值为2.068以上且2.233以下的区域在温度113K下的自旋浓度比在温度300K下的自旋浓度高1.1×10-5spins/g以上。

5.根据权利要求3所述的正极活性物质,

其中当在温度的倒数与每钴离子的自旋浓度的图表中划出包括温度113K以上且300K以下的3点以上的测量值的近似直线时,所述直线的斜率为5×10-6以上且4×10-5以下。

6.一种包括正极活性物质、导电材料及集流体的正极,

其中,所述正极活性物质含有钴、氧及氟,

所述导电材料含有碳,

并且,所述正极活性物质的通过电子自旋共振波谱得到的g值为2.068以上且2.233以下的区域在温度113K下的自旋浓度比在温度300K下的自旋浓度高1.1×10-5spins/g以上。

7.一种包含权利要求1至6所述的正极活性物质的二次电池。

8.一种包括权利要求7所述的二次电池的电子设备。

9.一种包括权利要求7所述的二次电池的车辆。

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