[发明专利]光子设备的制造方法

权利要求书

1.一种用于构造设备的方法，该方法包括：

接收包括第一层堆叠的第一晶片，其中第一层堆叠包括：

衬底层；

种子层，部署在衬底层上；以及

电光层，部署在种子层上；

接收第二晶片；

将第一层堆叠键合到第二晶片；

移除衬底层；

蚀刻种子层，以在种子层中形成与第二电极分离的第一电极；以及

在第一电极和第二电极上沉积第二包覆层。

2.如权利要求1所述的方法，

其中第一层堆叠还包括部署在电光层上的第一包覆层，

其中将第一层堆叠键合到第二晶片包括将第一包覆层的表面键合到第二晶片。

3.如权利要求2所述的方法，还包括：

在将第一包覆层的表面键合到第二晶片之前，平坦化第一包覆层。

4.如权利要求1所述的方法，该方法还包括：

蚀刻第二包覆层以暴露第一电极的第一部分；

蚀刻第二包覆层以暴露第二电极的第二部分；

通过暴露的第一部分将第一引线沉积到第一电极上；以及

通过暴露的第二部分将第二引线沉积到第二电极上。

5.如权利要求1所述的方法，

其中电光层包括脊波导结构。

6.如权利要求5所述的方法，

其中衬底层包括绝缘体上硅(SOI)晶片，以及

其中SOI晶片的硅层与种子层接触。

7.如权利要求1所述的方法，

其中第二晶片包括光学中介层。

8.如权利要求1所述的方法，

其中种子层包括以下之一：

钛酸锶；

钛酸锶钡；

氧化铪；

氧化锆；

氧化钛；

氧化石墨烯；

氧化钽；

锆钛酸铅；

锆钛酸铅镧；

氧化镁；

锗；或者

铌酸锶钡，以及

其中电光层包括以下之一：

钛酸钡；

钛酸锶钡；

铌酸锂；

锆钛酸铅；

锆钛酸铅镧；

氧化铝；

亚硝酸铝；或者

铌酸锶钡。

9.一种用于构造设备的方法，该方法包括：

接收包括第一层堆叠的第一晶片，其中第一层堆叠包括：

种子层，部署在衬底层上；

电光层，部署在种子层上；以及

电极层，部署在电光层上；

蚀刻电极层，以暴露电光层的一部分并将电极层拆分成与第二电极分离的第一电极；

在电光层的暴露部分以及第一电极和第二电极上沉积第一包覆层；

将第一包覆层的表面键合到第二晶片；

移除衬底层和种子层；

在移除衬底层和种子层之后，蚀刻电光层以产生具有第一厚度的脊波导，该脊波导部署在具有小于第一厚度的第二厚度的第一平板层和第二平板层之间；以及

在第一平板层和第二平板层以及脊波导结构上沉积第二包覆层。

10.如权利要求9所述的方法，该方法还包括：

在将第一包覆层键合到第二晶片之前，平坦化第一包覆层。

11.如权利要求9所述的方法，该方法还包括：

蚀刻穿过第二包覆层和第一平板层以暴露第一电极的第一部分；

蚀刻穿过第二包覆层和第二平板层以暴露第二电极的第二部分；

通过暴露的第一部分将第一引线沉积到第一电极上；以及

通过暴露的第二部分将第二引线沉积到第二电极上。

12.如权利要求9所述的方法，还包括：

其中衬底层包括绝缘体上硅(SOI)晶片，以及

其中SOI晶片的硅层与种子层接触。