[发明专利]还原处理方法在审
| 申请号： | 202180029430.4 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN115427609A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 岛本章弘 | 申请（专利权）人： | 优志旺电机株式会社 |
| 主分类号： | C23G5/00 | 分类号： | C23G5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 满凤;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 还原 处理 方法 | ||
1.一种还原处理方法，其特征在于，对氢自由基源含有物照射波长为255nm以下的紫外光而生成氢自由基，使生成的所述氢自由基与被处理物的表面接触而对所述表面进行还原。
2.如权利要求1所述的还原处理方法，其特征在于，所述氢自由基源含有物含有属于由氢气、烃、H2O、醇、酚类、NH3、胺、H2S和硫醇组成的组的一种以上物质。
3.如权利要求2所述的还原处理方法，其特征在于，所述氢自由基源含有物含有ROH，R表示氢原子或烷基。
4.如权利要求2所述的还原处理方法，其特征在于，所述氢自由基源含有物含有ROH，R表示碳原子数为3以上且10以下的烷基。
5.如权利要求4所述的还原处理方法，其特征在于，所述紫外光是波长为205nm以下的光。
6.如权利要求1～5中任一项所述的还原处理方法，其特征在于，
使所述氢自由基源含有物与所述被处理物的表面接触，
对与所述被处理物的表面接触的所述氢自由基源含有物照射所述紫外光。
7.如权利要求1～5中任一项所述的还原处理方法，其特征在于，
对所述氢自由基源含有物照射所述紫外光而生成氢自由基，
将生成的所述氢自由基喷吹到所述被处理物的表面。
8.如权利要求1～5中任一项所述的还原处理方法，其特征在于，所述被处理物在表面具有金属或半导体的氧化膜。
9.如权利要求1～5中任一项所述的还原处理方法，其特征在于，所述被处理物在表面具有含有亲水基的树脂。
10.如权利要求1～5中任一项所述的还原处理方法，其特征在于，所述紫外光是由氙准分子灯产生的紫外光。
11.一种还原处理方法，其特征在于，
使含有氢原子的材料与被处理物的表面接触，
对与所述被处理物的表面接触的所述材料照射波长为255nm以下的紫外光而对所述被处理物的表面进行还原。
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