[发明专利]摄像装置及电子设备在审
申请号: | 202180029689.9 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN115428437A | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 米田诚一;根来雄介;广濑丈也;佐藤骏介;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;陈岚 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种摄像装置,包括:
多个像素块;以及
第一电路,
其中,所述多个像素块的每一个包括多个像素及存储单元,
根据所述多个像素生成的数据计算出的模拟数据容纳在所述存储单元中,
并且,所述第一电路具有从容纳在所述多个像素块的每一个所包括的所述存储单元中的所述模拟数据中读出最大值的功能。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,
其中所述存储单元包括与所述像素和所述第一电路中的任一个以上重叠的区域。
3.一种摄像装置,包括:
多个像素块;
第一电路;
第二电路;以及
第三电路,
其中,所述多个像素块的每一个包括多个像素及存储单元,
所述多个像素的每一个具有保持根据复位工作的第一数据的功能,
所述多个像素的每一个具有保持根据光电转换工作的第二数据的功能,
所述多个像素的每一个具有将权重系数与所述第一数据相加而生成第三数据的功能,
所述多个像素的每一个具有将所述权重系数与所述第二数据相加而生成第四数据的功能,
所述第一电路具有根据在所述多个像素中保持的所述第一数据的和与在所述多个像素生成的所述第三数据的和之差分生成第五数据的功能,
所述第一电路具有根据在所述多个像素中保持的所述第二数据的和与在上述多个像素生成的所述第四数据的和之差分生成第六数据的功能,
所述第二电路具有根据所述第五数据与所述第六数据之差分生成第七数据的功能,
所述第七数据容纳在所述存储单元中,
并且,所述第三电路具有从容纳在所述多个像素块的每一个所包括的所述存储单元中的所述第七数据中读出最大值的功能。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像装置,
其中所述像素包括光电转换器件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管及第一电容器,
所述光电转换器件的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个、所述第一电容器的一个电极及所述第三晶体管的栅极电连接,
所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
并且所述第一电容器的另一个电极与所述第五晶体管的源极和漏极中的一个电连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像装置,
其中所述存储单元包括第六晶体管、第七晶体管及第二电容器,
并且所述第六晶体管的源极和漏极中的一个、所述第二电容器的一个电极及所述第七晶体管的栅极电连接。
6.根据权利要求5所述的摄像装置,
其中所述第六晶体管及所述第七晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物,
并且所述金属氧化物包含In、Zn及M(M为Al、Ti、Ga、Ge、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd和Hf中的一个或多个)。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的摄像装置,
其中所述第一电路及所述第二电路为相关双采样电路。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的摄像装置,
其中所述第三电路包括多个电流镜电路。
9.根据权利要求3至8中任一项所述的摄像装置,
其中所述第一电路至所述第三电路包括在沟道形成区域中包含硅的晶体管。
10.根据权利要求3至9中任一项所述的摄像装置,
其中具有所述第一电路至所述第三电路中的任一个以上与所述像素重叠的区域。
11.根据权利要求3至9中任一项所述的摄像装置,
其中具有所述第一电路至所述第三电路及像素中的任一个以上与所述存储单元重叠的区域。
12.一种电子设备,包括:
权利要求1至11中任一项所述的摄像装置;以及
显示装置。
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