[发明专利]多不饱和脂肪酸及其衍生物的同位素修饰方法

权利要求书

1.用于多不饱和脂质的同位素修饰的方法，所述方法包括：

使所述多不饱和脂质与含同位素的试剂在过渡金属催化剂的存在下反应以获得在一个或多个双烯丙基位置处具有同位素的同位素修饰的多不饱和脂质，其中所述含同位素的试剂包含选自氘、氚及其组合的至少一种同位素；并且其中所述过渡金属催化剂具有式(I)或式(II)的结构：

[ML¹(L²)_m(L³)_n]_pQ_k    (I)

[ML^l(L²)_m1(L³)_n1]-L-[ML¹(L²)_m2(L³)_n2]_qQ_k    (II)

其中：

M是铑、铱或钌；

每个L¹独立地是C₃-C₁₀环烯基、C₄-C₁₀环炔基、C₆-C₁₀芳基、5至10元杂芳基或3至10元杂环基，其中L¹任选地被一个或多个R^A取代；

每个L²独立地是亚胺、卡宾、羰基、烯烃、炔烃、腈、异腈、乙腈、醚、硫醚、膦、吡啶、任选取代的C₃-C₁₀环烯基、任选取代的C₄-C₁₀环炔基、任选取代的C₆-C₁₀芳基、任选取代的5至10元杂芳基或任选取代的3至10元杂环基；

每个L³独立地是C₁-C₆烷基、NR¹R²或C₁-C₆烷氧基；

每个R¹和R²独立地是H、任选取代的C₁-C₆烷基、任选取代的C₃-C₁₀环烷基、任选取代的C₃-C₁₀环烯基、任选取代的C₄-C₁₀环炔基、任选取代的C₆-C₁₀芳基、任选取代的5至10元杂芳基或任选取代的3至10元杂环基；

每个R^A独立地是羟基、卤素、氰基、硝基、任选取代的C₁-C₆烷基、C₂-C₆烯基、C₂-C₆炔基、C₁-C₆烷氧基、C₁-C₆卤代烷基、C₁-C₆卤代烷氧基或任选取代的氨基；

L是C₁-C₆亚烷基、C₂-C₆亚烯基或C₂-C₆亚炔基连接子；

m、m1、m2、n、n1和n2独立地是1、2或3的整数；

p和q独立地是1、2、3或4的整数；

Q是阴离子；以及

k是0、1或2。

2.如权利要求1所述的方法，其中M是钌。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中每个L¹独立地是各自任选地被一个R^A取代的C₃-C₁₀环烯基或C₆-C₁₀芳基。