[发明专利]电介质组合物和层叠陶瓷电容器

说明书

电介质组合物含有由(Bi_xNa_1‑x)TiO₃－CaTiO₃表示且具有钙钛矿结构的复合氧化物作为主成分，并且含有选自BaZrO₃、SrZrO₃、CaZrO₃、NaNbO₃和NaTaO₃中的至少1种的具有钙钛矿结构的复合氧化物作为副成分。包含BaZrO₃、NaNbO₃或NaTaO₃时的容许因子t满足0.9016≤t≤0.9035的关系，包含SrZrO₃时的容许因子t满足0.9005≤t≤0.9025的关系，包含CaZrO₃时的容许因子t满足0.9000≤t≤0.9020的关系。

技术领域

本发明涉及电介质组合物和层叠陶瓷电容器。

背景技术

已知有如层叠陶瓷电容器那样具备电介质的电子部件。另外，作为构成电介质的材料，已知有包含钛酸钡这样的具有钙钛矿结构的复合氧化物的电介质组合物。

专利文献1中记载了一种电介质组合物，含有由(Bi_aNa_bSr_cLn_d)TiO₃表示的复合氧化物作为主成分，并且含有K作为第一副成分，含有选自Cu、Zn、Co中的至少1种作为第二副成分。据称该专利文献1中记载的电介质组合物即使在施加了8kV/mm的DC偏置的情况下也具有高相对介电常数。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6538882号公报

发明内容

在此，层叠陶瓷电容器这样的电子部件由于薄层化不断发展，因此期望开发出一种即使在施加了高于8kV/mm的DC偏置、例如10kV/mm的DC偏置的情况下，也具有充分高的相对介电常数、例如在25℃下具有1000以上的高相对介电常数的电介质组合物。

另外，层叠陶瓷电容器的静电容量根据温度而发生变化，但实用上优选规定的温度范围的静电容量变化率小。作为关于规定的温度范围的静电容量变化率的基准的一个例子，有由美国电子工业会(EIA)制定的基准X7T，但现有的标准中仅对没有施加DC偏置的状态下的静电容量变化率进行了补偿。更期望例如在施加了10kV/mm的DC偏置的状态下的规定的温度范围的静电容量变化率小。然而，专利文献1中没有关于在电介质组合物施加了10kV/mm的DC偏置的状态下是否满足基准X7T的记载。

本发明解决上述课题，其目的在于提供即使在施加了10kV/mm的DC偏置的情况下，在25℃下也具有1000以上的高相对介电常数，且静电容量变化率满足基准X7T的电介质组合物，以及具备这样的电介质组合物的层叠陶瓷电容器。

本发明的电介质组合物的特征在于，含有由(Bi_xNa_1-x)TiO₃－CaTiO₃(x满足0＜x＜1)表示且具有钙钛矿结构的复合氧化物作为主成分，并且含有选自BaZrO₃、SrZrO₃、CaZrO₃、NaNbO₃以及NaTaO₃中的至少1种的具有钙钛矿结构的复合氧化物作为副成分，

包含BaZrO₃、NaNbO₃或NaTaO₃时的容许因子t满足0.9016≤t≤0.9035的关系，包含SrZrO₃时的容许因子t满足0.9005≤t≤0.9025的关系，包含CaZrO₃时的容许因子t满足0.9000≤t≤0.9020的关系。