[发明专利]面内磁化膜、面内磁化膜多层结构、硬偏置层、磁阻效应元件和溅射靶

权利要求书

1.一种面内磁化膜，其是作为磁阻效应元件的硬偏置层使用的面内磁化膜，其特征在于，

含有金属Co、金属Pt和氧化物，厚度为20nm以上且80nm以下，

相对于该面内磁化膜的金属成分的合计，含有45原子％以上且80原子％以下的金属Co，含有20原子％以上且55原子％以下的金属Pt，

相对于该面内磁化膜的整体，含有3体积％以上且25体积％以下的所述氧化物，

该面内磁化膜的磁性晶粒的面内方向的平均粒径为15nm以上且30nm以下。

2.如权利要求1所述的面内磁化膜，其特征在于，具有由CoPt合金晶粒和所述氧化物的晶界构成的颗粒结构。

3.如权利要求1或2所述的面内磁化膜，其特征在于，所述氧化物包含Ti、Si、W、B、Mo、Ta、Nb的氧化物中的至少一种。

4.如权利要求1～3中任一项所述的面内磁化膜，其特征在于，所述面内磁化膜含有相对于金属成分的合计为0.5原子％以上且3.5原子％以下的硼。

5.一种面内磁化膜多层结构，其是作为磁阻效应元件的硬偏置层使用的面内磁化膜多层结构，其特征在于，

具有两个以上面内磁化膜和晶体结构为六方最密堆积结构的非磁性中间层，

所述非磁性中间层配置在所述面内磁化膜彼此之间，并且，夹着所述非磁性中间层相邻的所述面内磁化膜彼此进行了铁磁性耦合，

所述面内磁化膜含有金属Co、金属Pt和氧化物，相对于该面内磁化膜的金属成分的合计，含有45原子％以上且80原子％以下的金属Co，含有20原子％以上且55原子％以下的金属Pt，相对于该面内磁化膜的整体，含有3体积％以上且25体积％以下的所述氧化物，

该面内磁化膜的磁性晶粒的面内方向的平均粒径为15nm以上且30nm以下，

所述两个以上面内磁化膜的合计厚度为20nm以上。

6.一种面内磁化膜多层结构，其是作为磁阻效应元件的硬偏置层使用的面内磁化膜多层结构，其特征在于，

具有两个以上面内磁化膜和非磁性中间层，

所述非磁性中间层配置在所述面内磁化膜彼此之间，并且，夹着所述非磁性中间层相邻的所述面内磁化膜彼此进行了铁磁性耦合，

所述面内磁化膜含有金属Co、金属Pt和氧化物，相对于该面内磁化膜的金属成分的合计，含有45原子％以上且80原子％以下的金属Co，含有20原子％以上且55原子％以下的金属Pt，相对于该面内磁化膜的整体，含有3体积％以上且25体积％以下的所述氧化物，

该面内磁化膜的磁性晶粒的面内方向的平均粒径为15nm以上且30nm以下，

所述面内磁化膜多层结构的矫顽力为2.00kOe以上且每单位面积的剩磁为2.00memu/cm²以上。

7.如权利要求5或6所述的面内磁化膜多层结构，其特征在于，所述非磁性中间层由Ru或Ru合金构成。

8.如权利要求5～7中任一项所述的面内磁化膜多层结构，其特征在于，所述面内磁化膜具有由CoPt合金晶粒和所述氧化物的晶界构成的颗粒结构。

9.如权利要求5～8中任一项所述的面内磁化膜多层结构，其特征在于，所述氧化物包含Ti、Si、W、B、Mo、Ta、Nb的氧化物中的至少一种。

10.如权利要求5～9中任一项所述的面内磁化膜多层结构，其特征在于，所述面内磁化膜的每1层的厚度为5nm以上且30nm以下。

11.一种硬偏置层，其特征在于，具有权利要求1～4中任一项所述的面内磁化膜或权利要求5～10中任一项所述的面内磁化膜多层结构。

12.一种磁阻效应元件，其特征在于，具有权利要求11所述的硬偏置层。

13.一种溅射靶，其在通过室温成膜形成作为磁阻效应元件的硬偏置层的至少一部分使用的面内磁化膜时使用，其特征在于，

含有金属Co、金属Pt和氧化物，

相对于该溅射靶的金属成分的合计，含有50原子％以上且85原子％以下的金属Co，含有15原子％以上且50原子％以下的金属Pt，

相对于该溅射靶的整体，含有3体积％以上且25体积％以下的所述氧化物，

要形成的所述面内磁化膜的矫顽力为2.00kOe以上且每单位面积的剩磁为2.00memu/cm²以上。