[发明专利]基于III族氮化物的晶体管器件

权利要求书

1.一种基于III族氮化物的晶体管器件，包括：

位于基于III族氮化物的基础层的第一主表面上的源极电极、漏极电极和栅极电极，其中栅极在横向上被布置在源极电极和漏极电极之间；

被布置在第一主表面上的钝化层；

电连接到源极电极的场板，场板具有被布置在钝化层上的下表面，场板在横向上被布置在栅极电极和漏极电极之间并且在横向上与栅极电极和漏极电极间隔开；

其中基于III族氮化物的晶体管器件具有栅极漏极电容(C_GD)、漏极源极电容(C_DS)和漏极源极导通电阻(RDSon)，

其中漏极源极电压(V_DS)为0V时的栅极漏极电容(C_GD)即C_GD(0V)与V_DS的值 0V时的栅极漏极电容C_GD即C_GDV的比率至少为3:1，其中V_DS小于15V。

2.根据权利要求1所述的基于III族氮化物的晶体管器件，其中

V_DS = 0V时的C_GD的值与V_DS电压在0 V_DS 15V的范围内时的C_GD的值的比率大于4，和/或

V_DS = 0V时的C_GD的值与V_DS电压在0 V_DS 12V的范围内时的C_GD的值的比率大于3，和/或

V_DS = 0V时的C_GD的值与V_DS电压在0 V_DS 15V的范围内时的C_GD的值的比率大于5。

3.根据权利要求1或2所述的基于III族氮化物的晶体管器件，其中在V_DS的值的子范围内的dC_GD/dV_DS小于-10fF/mm/V，值的子范围大于100 mV，并且其中5 V V_DS 20 V。

4.根据权利要求1至3之一所述的基于III族氮化物的晶体管器件，其中Rdson小于10ohm*mm。

5.根据权利要求1至4之一所述的基于III族氮化物的晶体管器件，其中所述基于III族氮化物的晶体管器件包括栅极源极电容C_GS，并且在VDS的值下的C_GS/C_DS大于2或大于3或大于5，其中V_DS小于20V。

6.根据权利要求1至5之一所述的基于III族氮化物的晶体管器件，其中钝化层具有厚度d_FP，使得场板与导电沟道间隔开一定距离，使得漏极源极电压(V_DS)为0V时的栅极漏极电容(C_GD)即C_GD(0V)与V_DS的值 0V时的栅极漏极电容C_GD即C_GDV的比率大于3:1，其中V_DS小于15V。