[发明专利]用于UV发射装置的掩埋接触层

权利要求书

1.一种发光结构，其包括：

分层堆叠，所述分层堆叠包括第一组掺杂层、第二层、定位在所述第一组掺杂层与所述第二层之间的发光层和通向所述第一组掺杂层的电接触件，其中：

所述第一组掺杂层、所述第二层和所述发光层包括半导体材料；

所述第一组掺杂层包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第三子层邻近于所述发光层；

所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层分别包括第一超晶格、第二超晶格和第三超晶格；

所述第二超晶格的阱层厚于所述第一超晶格和所述第三超晶格的阱层；

所述第二超晶格的阻障层薄于所述第一超晶格和所述第三超晶格的阻障层；

通向所述第一组掺杂层的所述电接触件被制造成通向所述第二子层；

所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层是n型掺杂的；并且

所述第二子层的电导率高于所述第一子层和所述第三子层的电导率。

2.如权利要求1所述的发光结构，其中：

从所述发光层发射的所具有的波长短于300nm的光在从所述发光结构发射之前穿过所述第一组掺杂层；并且

所述第二子层吸收到达所述第二子层的从所述发光层发射的所述光的10％至60％。

3.如权利要求1所述的发光结构，其中所述第二超晶格的所述阱层与所述第一超晶格和所述第三超晶格的所述阱层相比包括具有更低带隙的材料。

4.如权利要求1所述的发光结构，其中：

所述发光层包括第四超晶格；并且

所述第二层包括第五超晶格。

5.如权利要求4所述的发光结构，其中所述第一超晶格、所述第二超晶格、所述第三超晶格、所述第四超晶格和所述第五超晶格各自包括GaN阱层和AlN阻障层的组。

6.如权利要求4所述的发光结构，其中所述第五超晶格是贯穿所述第五超晶格包括改变的阱层厚度、改变的阻障层厚度或改变的阱层和阻障层厚度的p型啁啾超晶格。

7.一种发光结构，其包括：

分层堆叠，所述分层堆叠包括第一组掺杂层、第二层、定位在所述第一组掺杂层与所述第二层之间的发光层和通向所述第一组掺杂层的电接触件，其中：

所述第一组掺杂层、所述第二层和所述发光层包括半导体材料；

所述第一组掺杂层包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第三子层邻近于所述发光层；

通向所述第一组掺杂层的所述电接触件被制造成通向所述第二子层；

所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层是n型掺杂的；

所述第二子层的电导率高于所述第一子层和所述第三子层的电导率；

所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层分别包括第一超晶格、第二超晶格和第三超晶格；

所述发光层包括第四超晶格；

所述第二层包括第五超晶格；并且

所述第一超晶格、所述第二超晶格、所述第三超晶格、所述第四超晶格和所述第五超晶格各自包括GaN阱层和AlN阻障层的组。

8.如权利要求7所述的发光结构，其中：

所具有的波长短于300nm的光从所述发光层发射并且在从所述发光结构发射之前穿过所述第一组掺杂层；并且

所述第二子层吸收到达所述第二子层的从所述发光层发射的所述光的10％至60％。

9.如权利要求7所述的发光结构，其中所述第二超晶格的阱层厚于所述第一超晶格和所述第三超晶格的阱层。

10.如权利要求7所述的发光结构，其中所述第五超晶格是贯穿所述第五超晶格包括改变的阱层厚度、改变的阻障层厚度或改变的阱层和阻障层厚度的p型啁啾超晶格。