[发明专利]电子设备在审
申请号: | 202180032569.4 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN115516634A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 纳土晋一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/30;G06V40/13;H01L27/32;H04N5/369;H05B33/02;H01L51/50 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;姚鹏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 | ||
1.一种电子设备,从一侧到另一侧顺次包括:
第一偏光板,其使入射光成为直线偏光;
第一1/4波长板,其慢轴与第一偏光板的吸收轴相差45度或135度;
自发光元件层;
第二1/4波长板,其慢轴与第一1/4波长板的慢轴在相同方向上;
第二偏光板,其吸收轴与第一偏光板的吸收轴正交;和
成像装置,其对经由第二偏光板的光进行成像。
2.一种电子设备,从一侧到另一侧顺次包括:
第一偏光板,其使入射光成为直线偏光;
第一1/4波长板,其光轴与第一偏光板的吸收轴相差45度或135度;
自发光元件层;
第二1/4波长板,其光轴与第一1/4波长板的光轴相差90度;
第二偏光板,其吸收轴与第一偏光板的吸收轴在相同方向上;和
成像装置,其对经由第二偏光板的光进行成像。
3.根据权利要求1所述的电子设备,其中
第二偏光板设置在所述成像装置的像素结构内。
4.根据权利要求1所述的电子设备,其中
所述自发光元件层是包括自发光元件的显示器,和
所述成像装置是如下的成像装置:对经由第一1/4波长板和第一偏光板而用所述自发光元件的光照射的手指的散射光进行成像,并且经由第一偏光板、第一1/4波长板、所述自发光元件层、第二1/4波长板和第二偏光板将所述手指的散射光成像为指纹图像,和
所述电子设备还包括:
信号处理单元,其从所述指纹图像中提取特征点;
存储单元,其存储认证目标的指纹的特征点;和
认证单元,其将从所述指纹图像中提取的特征点与所述认证目标的指纹的特征点进行核对,以确定特征点是否彼此一致。
5.根据权利要求1所述的电子设备,其中
所述成像装置是如下的成像装置:对经由第一1/4波长板和第一偏光板而用所述自发光元件层的光照射的认证目标进行成像,并且经由第一偏光板、第一1/4波长板、所述自发光元件层、第二1/4波长板和第二偏光板对来自所述认证目标的光进行成像,和
所述成像装置基于经由波长的透过特性不同的光学元件入射的入射光而输出图像信号,和
所述电子设备还包括认证单元,所述认证单元当在500~600纳米的波长区域中不存在上升的情况下确定成像目标是人造物。
6.根据权利要求1所述的电子设备,其中
所述成像装置是如下的成像装置:对经由第一1/4波长板和第一偏光板而用所述自发光元件层的光照射的认证目标进行成像,并且经由第一偏光板、第一1/4波长板、所述自发光元件层、第二1/4波长板和第二偏光板将来自所述认证目标的光成像为静脉图像,和
所述电子设备还包括:
信号处理单元,其从所述静脉图像中提取特征点;
存储单元,其存储所述认证目标的静脉的特征点;和
认证单元,其将从所述静脉图像中提取的特征点与所述认证目标的静脉的特征点进行核对,以确定特征点是否彼此一致。
7.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述自发光元件层是有机发光二极管。
8.根据权利要求1所述的电子设备,其中
所述成像装置包括:
片上透镜;和
金属遮光膜,其包括与所述片上透镜会聚光的位置对应的针孔。
9.根据权利要求8所述的电子设备,其中
所述成像装置还包括:
在所述针孔内的金属的线栅偏光元件。
10.根据权利要求1所述的电子设备,其中
所述成像装置包括具有多个像素的像素阵列,和
每个像素包括:
多个子像素,每个子像素包括光电转换元件,所述光电转换元件接收以预定角度入射的光并基于接收到的光的强度输出模拟信号;和
将入射光会集在子像素上的片上透镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的