[发明专利]半导体器件检查方法及半导体器件检查装置

权利要求书

1.一种半导体器件检查方法，其具备：

测量步骤，其中，在对半导体器件供给电力的同时，测量与半导体器件的所述电力的供给相对应的电特性；

取得步骤，其中，对所述半导体器件扫描以第1频率强度调制的光、与以比所述第1频率高的第2频率强度调制的光，取得表示与该扫描相对应的所述第1频率成分及所述第2频率成分的所述电特性的特性信号；

求得步骤，其中，求得第1扫描位置的所述特性信号与第2扫描位置的所述特性信号为规定的相位差的所述特性信号的频率，所述第1扫描位置的所述特性信号反映了所述半导体器件的所述光的光轴方向的第1位置的所述电特性，所述第2扫描位置的所述特性信号反映了所述半导体器件的所述光的光轴方向的第2位置的所述电特性；

修正步骤，其中，以所述半导体器件的所述第1扫描位置的所述特性信号的相位成分为基准，修正任意的扫描位置的所述特性信号的相位成分；及

输出步骤，其中，取得在所求得的所述频率的任意的扫描位置的所述特性信号，输出该特性信号的同相成分及正交成分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件检查方法，其中，

在所述输出步骤中，输出：示出所述同相成分的二维分布的图像、与示出所述正交成分的二维分布的图像。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件检查方法，其中，

在所述输出步骤中，基于所述特性信号，输出：表示所述任意的扫描位置的所述第1位置的所述电特性的值、与表示所述任意的扫描位置的所述第2位置的所述电特性的值。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件检查方法，其中，

在所述修正步骤中，以抵消所述第1扫描位置的所述特性信号的相位成分的方式，修正所述任意的扫描位置的所述特性信号的相位成分。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件检查方法，其中，

在所述求得步骤中，通过由曲线拟合预测所述特性信号的频率特性，而求得所述特性信号的频率。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件检查方法，其中，

在所述输出步骤中，通过由曲线拟合预测所述任意的扫描位置的所述特性信号的频率特性，而取得在所述频率的所述特性信号。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件检查方法，其中，

所述规定的相位差为π/2。

8.一种半导体器件检查装置，其具备：

测量器，其在对半导体器件供给电力的同时，测量与半导体器件的所述电力的供给相对应的电特性；

光扫描装置，其对所述半导体器件扫描以第1频率强度调制的光、与以比所述第1频率高的第2频率强度调制的光；

信号取得装置，其取得表示与所述光的扫描相对应的所述第1频率成分及所述第2频率成分的所述电特性的特性信号；及

处理器，其处理所述特性信号，

所述处理器，

求得第1扫描位置的所述特性信号与第2扫描位置的所述特性信号为规定的相位差的所述特性信号的频率，所述第1扫描位置的所述特性信号反映了所述半导体器件的所述光的光轴方向的第1位置的所述电特性，所述第2扫描位置的所述特性信号反映了所述半导体器件的所述光的光轴方向的第2位置的所述电特性；

以所述半导体器件的所述第1扫描位置的所述特性信号的相位成分为基准，修正任意的扫描位置的所述特性信号的相位成分；

取得在所求得的所述频率的任意的扫描位置的所述特性信号，输出该特性信号的同相成分及正交成分。

9.根据权利要求8所述的半导体器件检查装置，其中

所述处理器输出：示出所述同相成分的二维分布的图像、与示出所述正交成分的二维分布的图像。