[发明专利]具有全晶片激光加热的外延腔室在审
申请号: | 202180033318.8 | 申请日: | 2021-08-11 |
公开(公告)号: | CN115516617A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 刘树坤;阿德尔·乔治·塔诺;帕特里克·C·杰尼斯;叶祉渊 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05B3/00;C30B25/08;C30B25/10;C30B25/14 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 晶片 激光 加热 外延 | ||
1.一种用于基板处理的腔室,包含:
腔室主体;
气体进口,所述气体进口穿过所述腔室主体的侧壁而设置;
气体出口,所述气体出口穿过所述腔室主体的侧壁并且与所述气体进口相对地设置;
上窗;
下窗;和
上部加热装置,所述上部加热装置进一步包含:
上冷却板;
一个或多个上基座构件,所述一个或多个上基座构件设置在所述上冷却板上;
一个或多个上光源;
一根或多根光纤,所述一根或多根光纤在第一端处连接至所述一个或多个上光源,并且在第二端处连接至所述上基座构件;和
照射窗,所述照射窗设置在所述上基座构件内并且在所述一根或多根光纤与所述上窗之间。
2.如权利要求1所述的腔室,进一步包含下部加热装置,所述下部加热装置包含:
下冷却板;
一个或多个下基座构件,所述一个或多个下基座构件设置在所述下冷却板上;
一个或多个下光源;
一根或多根光纤,所述一根或多根光纤在第一端处连接至所述一个或多个下光源,并且在第二端处连接至所述下基座构件;和
照射窗,所述照射窗设置在所述下基座构件内并且在所述一根或多根光纤与所述下窗之间。
3.如权利要求1所述的腔室,其中所述一个或多个上光源包含十个或更多个光源。
4.如权利要求1所述的腔室,其中所述照射窗进一步包括透镜,所述透镜用于将由所述一根或多根光纤发射的激光束发散成圆锥形束。
5.如权利要求1所述的腔室,其中所述上冷却板包括设置在所述上冷却板中的一个或多个冷却剂通道。
6.如权利要求1所述的腔室,其中所述上窗是石英窗。
7.如权利要求6所述的腔室,其中所述石英窗是反射石英窗,所述反射石英窗具有穿过所述反射石英窗设置的一个或多个窗开口。
8.如权利要求6所述的腔室,其中所述上窗是圆顶形窗。
9.如权利要求1所述的腔室,其中所述上冷却板进一步包含穿过所述上冷却板设置的一个或多个开口。
10.如权利要求9所述的腔室,其中所述一个或多个开口具有圆锥平截头体形状。
11.一种用于基板处理的腔室,包含:
腔室主体;
气体进口,所述气体进口穿过所述腔室主体的侧壁设置;
气体出口,所述气体出口穿过所述腔室主体的侧壁并且与所述气体进口相对地设置;
上窗;
下窗;
上部加热装置,所述上部加热装置进一步包含:
上冷却板,所述上冷却板具有穿过所述上冷却板设置的一个或多个开口;
一个或多个上基座构件,所述一个或多个上基座构件设置在所述上冷却板上;
一个或多个上光源;
一根或多根光纤,所述一根或多根光纤连接至所述一个或多个上光源和所述上基座构件;和
照射窗,所述照射窗设置在所述上基座构件内并且在所述一根或多根光纤与所述上窗之间;和
下部加热装置。
12.如权利要求11所述的腔室,其中所述上窗是上石英圆顶,且所述下窗是下石英圆顶。
13.如权利要求11所述的腔室,其中所述上窗是上反射石英衬垫,且所述下窗是下反射石英衬垫。
14.如权利要求13所述的腔室,进一步包含设置在所述腔室主体的内表面上的不透明石英主体衬垫。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造