[发明专利]用于根据电极结构预测二次电池性能的设备及方法

权利要求书

1.一种用于估计可再充电电池性能的设备，该设备包括:

通信单元，所述通信单元从用于测量在正极中形成的孔的体积的设备接收累积侵入值，所述累积侵入值是每单位面积的所述正极的全部孔的体积的求和值；以及

处理器，所述处理器通过比较所述累积侵入值与体积参考值来估计所述可再充电电池的输出性能，

其中，所述体积参考值是与在所述可再充电电池连续放电时针对所述可再充电电池所需的预期输出值对应的累积侵入值。

2.根据权利要求1所述的用于估计可再充电电池性能的设备，其中，所述孔具有大于或等于0.1微米且小于或等于1微米的直径。

3.根据权利要求2所述的用于估计可再充电电池性能的设备，其中，如果所述累积侵入值是所述体积参考值或更大，则所述处理器确定包括所述正极的所述可再充电电池满足所述预期输出值。

4.一种用于估计可再充电电池性能的设备，该设备包括:

通信单元，所述通信单元从用于测量在负极中形成的孔的体积的设备接收累积侵入值，所述累积侵入值是每单位面积的所述负极的全部孔的体积的求和值；以及

处理器，所述处理器通过比较所述累积侵入值与体积参考值来估计所述可再充电电池的充电性能，

其中，所述体积参考值是与在所述可再充电电池连续充电时所述可再充电电池在充电结束时间所需的预期SOC(充电状态)值对应的累积侵入值。

5.根据权利要求4所述的用于估计可再充电电池性能的设备，其中，

所述孔具有大于或等于0.1微米且小于或等于1微米的直径。

6.根据权利要求5所述的用于估计可再充电电池性能的设备，其中，如果所述累积侵入值是所述体积参考值或更大，则所述处理器确定包括所述负极的所述可再充电电池满足预期SOC值。

7.一种用于估计可再充电电池性能的方法，该方法包括以下步骤：

从用于测量在正极中形成的孔的体积的设备接收累积侵入值，所述累积侵入值是每单位面积的所述正极的全部孔的体积的求和值；

比较所述累积侵入值与体积参考值；以及

如果比较结果是所述累积侵入值是所述体积参考值或更大，则确定包括所述正极的所述可再充电电池在连续放电时满足预期输出值，

其中，所述体积参考值是与所述预期输出值的最小值对应的累积侵入值。

8.根据权利要求7所述的用于估计可再充电电池性能的方法，其中，所述孔具有大于或等于0.1微米且小于或等于1微米的直径大小。

9.一种用于估计可再充电电池性能的方法，该方法包括以下步骤：

从用于测量在负极中形成的孔的体积的设备接收累积侵入值，所述累积侵入值是每单位面积的所述负极的全部孔的体积的求和值；

比较所述累积侵入值与体积参考值；并且

如果比较结果是所述累积侵入值为所述体积参考值或更大，则确定包括所述负极的所述可再充电电池在连续充电时在充电结束时间满足预期SOC(充电状态)值，

其中，所述体积参考值是与预期SOC值对应的累积侵入值。

10.根据权利要求10所述的用于估计可再充电电池性能的方法，其中，

所述孔具有大于或等于0.1微米且小于或等于1微米的直径大小。