[发明专利]射频调制器装置

权利要求书

1.一种射频调制器装置，包括：

基带级；

混频器级；以及

射频级，

其中，所述基带级包括：

输入线，用于接收表示基带输入信号的输入电流；

基带晶体管，布置成在所述基带晶体管的第一端子和第二端子之间传递一些或全部所述输入电流；

所述输入线和所述基带晶体管的控制端子之间的电连接；以及

输出线，连接到所述基带晶体管的所述控制端子；

其中，所述混频器级：

布置成接收来自所述基带级的所述输出线的信号；以及

配置为将接收到的信号与射频本振信号混频以生成射频混频信号；以及

其中，所述射频级：

布置成接收来自所述混频器级的所述射频混频信号；

包括射频晶体管；

配置为将所述射频混频信号施加到所述射频晶体管的控制端子，以使所述射频晶体管在所述射频晶体管的第一端子和第二端子之间传递射频输出电流；以及

包括输出线，用于将所述射频输出电流作为射频输出信号输出。

2.根据权利要求1所述的射频调制器装置，其中，所述基带级、所述混频器级和所述射频级集成在单个硅芯片上。

3.根据权利要求1或2所述的射频调制器装置，其中，所述基带晶体管和所述射频晶体管是场效应晶体管，所述第一端子和所述第二端子是漏极端子和源极端子，并且所述控制端子是栅极端子。

4.根据权利要求3所述的射频调制器装置，其中，所述基带晶体管具有与所述射频晶体管相同的栅极宽度和栅极长度。

5.根据前述权利要求中任一项所述的射频调制器装置，其中，所述基带晶体管是基带跨导单元的元件，以及其中，所述基带跨导单元包括用于将所述基带晶体管接地以提供电阻负反馈的电阻元件。

6.根据前述权利要求中任一项所述的射频调制器装置，其中，所述基带级包括一组基带晶体管，所述组包括所述基带晶体管和与所述基带晶体管并联布置的一个或更多个另外的基带晶体管，其中，所述一组基带晶体管中的每一个的相应的控制端子连接到所述输入线。

7.根据权利要求6所述的射频调制器装置，其中，所述基带级包括：一个或更多个开关，用于可切换地使能和禁用所述一组基带晶体管中的一个或更多个。

8.根据前述权利要求中任一项所述的射频调制器装置，其中，所述射频晶体管是射频跨导单元的元件，以及其中，所述射频跨导单元包括用于将所述射频晶体管接地以提供电阻负反馈的电阻元件。

9.根据前述权利要求中任一项所述的射频调制器装置，其中，所述射频级包括一组射频晶体管，所述组包括与所述射频晶体管并联布置的一个或更多个另外的射频晶体管，其中所述一组射频晶体管中的每一个的相应的控制端子被布置成接收所述射频混频信号。

10.根据权利要求9所述的射频调制器装置，其中，所述射频级包括：一个或更多个开关，用于可切换地使能和禁用所述一组射频晶体管中的一个或更多个。

11.根据前述权利要求中任一项所述的射频调制器装置，其中：

所述基带级包括多个基带晶体管；

所述射频级包括多个射频晶体管；以及

所述多个基带晶体管和所述多个射频晶体管中的每个晶体管是场效应晶体管，其中，所有场效应晶体管具有相同的栅极面积。

12.根据权利要求11所述的射频调制器装置，其中，所述射频调制器装置提供用于控制所述多个基带晶体管中的多少基带晶体管被使能以传递所述输入电流和/或用于控制所述射频晶体管中的多少射频晶体管被使能以传递所述射频输出电流的接口。

13.根据前述权利要求中任一项所述的射频调制器装置，被配置或可控制以提供从所述输入电流到所述射频输出电流的增益，所述增益是有理数。