[发明专利]光发射元件应变管理层的组合

权利要求书

1.一种在衬底上形成的发光二极管LED结构，所述LED结构包括：

应变管理区，所述应变管理区被支撑在所述衬底上；以及

有源区，所述有源区被配置成提供与所述LED结构相关联的光发射，

其中，所述应变管理区包括：

第一层，所述第一层包括具有多个重复的第一子层和第二子层的超晶格，以及

第二层，所述第二层包括主体层。

2.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述应变管理区被配置成与不具有所述应变管理区的另一LED结构相比改进来自所述有源区的所述光发射。

3.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述应变管理区包括多组交替的第一层和第二层。

4.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述第一层被邻近所述衬底设置。

5.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述第二层被邻近所述衬底设置。

6.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述主体层以及所述第一子层和所述第二子层中的至少一个包括组成In_xAl_yGa_1-x-yN。

7.根据权利要求6所述的LED结构，其中，所述主体层的所述组成In_xAl_yGa_1-x-yN是基于范围为从0至0.15的x值。

8.根据权利要求6所述的LED结构，其中，所述第一子层的所述组成In_xAl_yGa_1-x-yN是基于范围为从0至0.3的x值。

9.根据权利要求6所述的LED结构，其中，所述第二子层的所述组成In_xAl_yGa_1-x-yN是基于范围为从0至0.1的x值。

10.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述有源区包括至少一个量子阱。

11.根据权利要求1所述的LED结构，其中，与所述LED结构相关联的所述光发射包括可见波长范围内的电磁辐射。

12.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述第一层包括应变层超晶格SLS，所述SLS被配置成与不具有所述SLS的另一LED结构相比改进所述有源区的应变管理和材料质量。

13.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述主体层被配置成与不具有所述主体层的另一LED结构相比改进所述有源区的表面形态和材料质量。

14.一种光发射装置，包括：

半导体模板；以及

被支撑在所述半导体模板上的光发射结构阵列，所述光发射结构阵列中的至少一个光发射结构包括

有源区，所述有源区被配置成提供与所述至少一个光发射结构相关联的光发射，以及

应变管理区，所述应变管理区包括

第一层，所述第一层包括具有多个重复的第一子层和第二子层的超晶格，以及

第二层，所述第二层包括主体层。

15.根据权利要求14所述的光发射装置，其中，所述至少一个光发射结构的所述应变管理区被配置成与不具有所述应变管理区的另一LED结构相比改进来自所述有源区的所述光发射。

16.根据权利要求14所述的光发射装置，其中，所述至少一个光发射结构的所述应变管理区包括多组交替的第一层和第二层。