[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202180036264.0 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN115668513A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 福岛圣;蟹谷裕也;柳田将志 | 申请（专利权）人： | 索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L21/20;H01L21/28;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/338;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 沈丹阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
势垒层，所述势垒层包括第一氮化物半导体；
沟道层，所述沟道层包括第二氮化物半导体并且在第一表面处被接合至所述势垒层；
再生长层，所述再生长层包括n型氮化物半导体，并且设置在从所述势垒层的与所述第一表面相反侧的第二表面挖掘至比所述势垒层与所述沟道层之间的界面更深的区域中；
空孔产生区域，所述空孔产生区域包括氮捕捉元素并且设置在所述再生长层的比所述势垒层和所述沟道层之间的界面浅的区域；以及
设置在所述再生长层上的源极或漏极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氮捕捉元素包括Ti或Al。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极或漏极包括所述氮捕捉元素。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述空孔产生区域还包括所述氮捕捉元素的氮化物。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述再生长层在与所述势垒层与所述沟道层之间的所述界面接触的区域中进一步包括低缺陷区域，所述低缺陷区域具有的晶体缺陷密度低于所述再生长层的其他区域中的晶体缺陷密度。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述低缺陷区域的晶体缺陷密度小于或等于1.0×1010/cm2。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述低缺陷区域被设置为从所述势垒层与所述沟道层之间的所述界面向沟道层侧延伸。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一氮化物半导体的带隙大于所述第二氮化物半导体的带隙。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述势垒层的所述第二表面还设置有栅极，所述栅极具有介于所述栅极其间的绝缘层。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述栅极设置在所述再生长层上设置的所述源极和所述再生长层上设置的所述漏极之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司，未经索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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