[发明专利]低电阻率触点和互连部

权利要求书

1.一种方法，其包含：

在衬底上提供特征，所述特征包含金属表面和介电表面，所述金属表面具有形成于其上的金属氧化物层；以及

将所述特征暴露于金属卤化物，以从所述金属表面移除所述金属氧化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包含利用导电材料填充所述特征。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电材料在没有中间层的情况下直接接触所述金属表面和所述介电表面。

4.根据权利要求2所述的方法，其中利用所述导电材料填充所述特征包含在沉积主体导电材料之前，沉积所述导电材料的成核层。

5.根据权利要求2所述的方法，其中利用所述导电材料填充所述特征包含在不沉积成核层的情况下沉积主体导电材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中填充所述特征包含原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺，以沉积主体导电材料，所述原子层沉积工艺或所述化学气相沉积工艺包含等离子体增强工艺或热工艺。

7.根据权利要求6所述的方法，其中相对于所述介电表面，所述主体导电材料的沉积选择性地针对所述金属表面。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述主体导电材料的沉积对所述金属表面和所述介电表面是非选择性的。

9.根据权利要求2所述的方法，其中将所述特征暴露于所述金属卤化物以及利用所述导电材料填充所述特征是在同一室中执行。

10.根据权利要求2所述的方法，其中将所述特征暴露于所述金属卤化物以及利用所述导电材料填充所述特征是在同一室的不同站中执行。

11.根据权利要求2所述的方法，其中将所述特征暴露于所述金属卤化物以及利用所述导电材料填充所述特征是在不同室中执行。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料选自：钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铬(Cr)、钴(Co)以及钛氮化物(TiN)。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属表面是钛氮化物(TiN)表面、钼氮化物(MoN_x)表面、钨氮化物(WN)表面、钨碳氮化物(WC_xN_y)表面、钨碳化物(WC_x)表面、钛铝碳化物(TiAl_xC_y)表面、或钽氮化物(TaN)表面中的一者。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中所述金属卤化物中的金属是：Mo、W、Cr、Ti、Ta和钒(V)中的一者。

15.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中所述金属卤化物是六氟化钨(WF₆)、六氯化钨(WCl₆)、五氯化钨(WCl₅)和六溴化钨(WBr₆)中的一者。

16.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中所述金属卤化物是六氟化钼(MoF₆)和五氯化钼(MoCl₅)中的一者。

17.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中所述金属卤化物是五氯化铌(NbCl₅)和五溴化铌(NbBr₅)中的一者。