[发明专利]卤化锂化合物的制造方法在审
| 申请号： | 202180037542.4 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115667146A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 井关勇介;中川贵史;岩井豊彦 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C01D15/04 | 分类号： | C01D15/04 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 卤化 化合物 制造 方法 | ||
1.一种卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，包括：
将硫化锂、溴及碘中的至少一方的卤素分子、第一溶剂混合；以及
去除所述第一溶剂，
所述第一溶剂是溶解包含所述卤素分子的卤素元素的卤化锂的溶剂。
2.如权利要求1所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，包括：
将所述硫化锂、所述卤素分子、第二溶剂混合；
进而添加所述第一溶剂并混合；以及
去除所述第二溶剂，
所述第二溶剂是不溶解包含所述卤素分子的卤素元素的卤化锂的溶剂。
3.如权利要求1所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，所述卤化锂化合物包含卤化锂络合物。
4.如权利要求1～3的任一项所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，所述第一溶剂是溴化锂及碘化锂的溶解度为1g/L以上的溶剂。
5.如权利要求2～4的任一项所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，所述第二溶剂是溴化锂及碘化锂的溶解度小于1g/L的溶剂。
6.如权利要求1～5的任一项所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，进而包括清洗并去除硫分子。
7.如权利要求6所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，在所述清洗并去除中，使用第三溶剂。
8.如权利要求7所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，利用从过滤及减压下的加热中选择的至少一种处理进行所述第三溶剂的去除。
9.如权利要求1～8的任一项所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，所述第一溶剂是具有从酯基、醚基及氨基中选择的至少一种官能团的非质子溶剂。
10.如权利要求2～9的任一项所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，所述第二溶剂是从芳香族烃及脂肪族烃中选择的至少一种。
11.如权利要求2～10的任一项所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，所述第二溶剂是沸点为150℃以下的溶剂。
12.如权利要求7～11的任一项所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，所述第三溶剂是硫分子的溶解度为0.1g/L以上的溶剂。
13.如权利要求7～12的任一项所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，所述第三溶剂是从芳香族烃及脂肪族烃中选择的至少一种。
14.如权利要求7～13的任一项所述的卤化锂化合物的制造方法，其特征在于，所述第二溶剂与所述第三溶剂相同。
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