[发明专利]石英晶体微天平浓度监测

权利要求书

1.一种处理系统，包含：

载气源；

前驱物容器；

沉积腔室；和

样品腔室，位于所述前驱物容器的下游和所述沉积腔室的上游，所述样品腔室容纳有石英晶体微天平(QCM)装置。

2.如权利要求1所述的处理系统，其中所述沉积腔室选自原子层沉积(ALD)腔室或化学气相沉积(CVD)腔室的一个或多个。

3.如权利要求1所述的处理系统，进一步包含：在所述样品腔室内的加热器和气体冷却通道。

4.如权利要求1所述的处理系统，其中所述载气源包含载气，所述载气选自氩气(Ar)、氦气(He)、氙气(Xe)、氢气(H₂)和氮气(N₂)的一种或多种。

5.如权利要求1所述的处理系统，其中所述石英晶体微天平(QCM)装置包含传感器头、晶体保持器、晶体、馈通、振荡器和频率计数器的一个或多个。

6.如权利要求5所述的处理系统，其中所述晶体包含AT晶体或RC晶体的一者或多者。

7.如权利要求5所述的处理系统，包含从1至24个晶体的范围。

8.如权利要求1所述的处理系统，进一步包含控制器。

9.如权利要求8所述的处理系统，其中所述控制器包含中央处理单元(CPU)、存储器、电路和输入/输出的一个或多个。

10.如权利要求1所述的处理系统，进一步包含净化气体源和储存器，所述储存器在所述前驱物容器和所述样品腔室的下游并且在所述沉积腔室的上游。

11.如权利要求10所述的处理系统，其中所述净化气体源包含净化气体，所述净化气体选自氩气(Ar)、氦气(He)、氙气(Xe)、氢气(H₂)和氮气(N₂)的一种或多种。

12.如权利要求1所述的处理系统，其中所述容器是安瓿。

13.如权利要求1所述的处理系统，其中所述前驱物选自固体前驱物或液体前驱物的一种或多种。

14.一种处理方法，包含以下步骤：

将含有化学前驱物的容器加热到在从约10℃至约600℃的范围中的温度，所述容器具有第一前驱物浓度；

使载气流过所述容器以形成包含所述化学前驱物的前驱物气体；

使用样品腔室内的石英晶体微天平(QCM)装置测量所述前驱物气体内的所述化学前驱物的浓度，所述前驱物具有第二前驱物浓度，并且所述样品腔室的温度比所述容器的温度高在从约10℃至约30℃的范围中；

在沉积处理期间将基板暴露于所述前驱物气体；和

在所述基板上沉积膜。

15.如权利要求14所述的处理方法，其中加热所述容器使所述化学前驱物汽化。

16.如权利要求14所述的处理方法，其中所述石英晶体微天平(QCM)装置的温度比所述容器的温度低在从约10℃至约15℃的范围中。

17.如权利要求14所述的处理方法，其中所述测量所述前驱物气体内的所述化学前驱物的所述浓度的步骤是在约50毫秒至约20秒的时间框架中执行的。