[发明专利]贴合晶圆用支撑基板在审
| 申请号： | 202180039914.7 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN115668449A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 涩谷正太;稗田大辅;石崎宽章 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;吕传奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贴合 晶圆用 支撑 | ||
【权利要求书】：
1. 一种贴合晶圆用支撑基板，其为用于将活性层用基板与支撑基板隔着绝缘膜贴合而成的贴合晶圆的支撑基板，具备：
支撑基板主体；及
多晶硅层，堆积在所述支撑基板主体的贴合面侧，
所述多晶硅层的晶粒尺寸为0.419μm以下。
2.根据权利要求1所述的贴合晶圆用支撑基板，其中，
在经研磨的所述多晶硅层的10μm×10μm的面积区域中测定的均方根粗糙度Rq为0.364nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的贴合晶圆用支撑基板，其中，
所述多晶硅层被研磨，表示从所述支撑基板的中心基准面到所述支撑基板的中点上的中心面的位移量的BOW-bf为+16μm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的贴合晶圆用支撑基板，其中，
所述多晶硅层由如下多晶硅层组成：
第1多晶硅层，堆积在所述支撑基板主体的贴合面侧；及
第2多晶硅层，堆积在所述第1多晶硅层上，
所述晶粒尺寸为所述第2多晶硅层的晶粒尺寸。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的贴合晶圆用支撑基板，其中，
所述支撑基板主体是单晶硅晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
