[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

壳体，所述壳体包括壳体电极；以及

至少一个半导体芯片，所述至少一个半导体芯片布置在所述壳体内；

其中，所述壳体电极包括可变形部分，并且所述可变形部分被构造为当所述壳体的内部与外部之间的压力差超过阈值压差或者所述可变形部分处的温度超过阈值温度时发生变形，以便将所述壳体从气密密封的壳体转变为与外部流体连通的开放壳体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述可变形部分对压力增加和温度增加中的至少一个的抵抗力小于所述壳体的其他部分。

3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述可变形部分具有圆盘形状。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述可变形部分的厚度小于所述壳体电极的其他部分的厚度。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述可变形部分布置在所述壳体电极的中心处。

6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述壳体电极包括面向所述壳体的内部的内表面，以及相对的外表面，并且其中，所述外表面包括孔，所述可变形部分布置在所述孔与所述壳体的内部之间。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述孔被构造作为安装孔，用于将所述半导体装置和与所述半导体装置相关联的组装组件对准。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中，所述孔布置在所述壳体电极的所述外表面的中心处。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体装置，其中，所述壳体电极的所述外表面还包括沟槽，所述沟槽从所述孔延伸到所述壳体电极的周边。

10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述壳体电极是第一壳体电极，并且所述壳体还包括第二壳体电极以及布置在所述第一壳体电极与所述第二壳体电极之间的电绝缘体，其中，所述第一壳体电极和所述第二壳体电极位于所述壳体的相对的侧面。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第二壳体电极包括另外的可变形部分。

12.一种系统，包括：

根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置；以及

组装组件，所述组装组件布置在所述半导体装置的外部、在所述半导体装置的所述壳体电极附近。

13.根据权利要求12所述的系统，其中，所述组装组件和所述壳体电极被构造为使得从所述壳体的内部排放到外部的气体沿着路径，所述路径引导通过变形的所述可变形部分并穿过所述组装组件与所述壳体电极之间。

14.根据从属于权利要求6的权利要求12或13所述的系统，其中，所述组装组件包括面向所述半导体装置的第一表面，所述第一表面包括沟槽，所述沟槽从所述孔延伸到所述组装组件的外围。

15.根据从属于权利要求6的权利要求12至14中任一项所述的系统，还包括管，所述管的至少一部分位于所述孔内。

16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述管被构造为引导从所述壳体的内部排放的气体在所述组装组件与所述壳体电极之间沿预定方向或路径流动。

17.根据权利要求15或16所述的系统，其中，所述管包括侧壁和延伸通过所述侧壁的开口，并且其中，所述开口定位为允许从所述壳体的内部排放的气体经由所述开口流动进入所述组装组件与所述壳体电极之间的界面。