[发明专利]受保护的基底和保护基底的方法

权利要求书

1.一种受保护基底，其包括：

包含表面的平面基底；以及

位于所述表面的至少一部分上方的烧除临时保护层，

其中所述烧除临时保护层包括聚氨酯层、环氧化物层、或它们的组合。

2.根据权利要求1所述的受保护基底，其中所述烧除临时保护层能够通过不实质性损伤所述表面的热处理工艺去除。

3.根据权利要求1所述的受保护基底，其中所述烧除临时保护层包含至少10nm且至多5000μm的厚度。

4.根据权利要求1所述的受保护基底，其中所述受保护基底不包括位于所述表面上方的临时保护片。

5.根据权利要求1所述的受保护基底，其中所述烧除临时保护层能够通过在至多1000℃的温度下燃烧而被去除。

6.根据权利要求2所述的受保护基底，其中在热处理工艺之后，热处理工艺不会使所述表面具有大于3个单位的颜色变化(DECMC)，与没有所述烧除临时保护层的相同平面基底的表面颜色相比而言。

7.根据权利要求1所述的受保护基底，其中所述平面基底包括玻璃。

8.根据权利要求1所述的受保护基底，其中所述烧除临时保护层是所述平面基底的最外层。

9.根据权利要求1所述的受保护基底，还包括位于所述表面和所述烧除临时保护层之间的功能涂层。

10.根据权利要求9所述的受保护基底，其中所述功能涂层包括低E涂层。

11.根据权利要求1所述的受保护基底，其中所述烧除临时保护层是UV固化性的。

12.一种保护基底的方法，包括：

提供包含表面的平面基底；和

施加材料以便在所述表面的至少第一部分上方形成烧除临时保护层，

其中所述烧除临时保护层包括聚氨酯层、环氧化物层、或它们的组合。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述烧除临时保护层能够通过不实质性损伤所述表面的热处理工艺去除。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括在基底的至少一部分上方施加功能涂层以及在所述功能涂层的至少一部分上方施加烧除保护层。

15.一种从涂覆基底上去除烧除临时保护层的方法，包括：

提供包含表面的涂覆基底，在所述表面的一部分上方施加有烧除临时保护层，其中所述烧除临时保护层包括聚氨酯层、环氧化物层、或它们的组合；以及

通过燃烧所述烧除临时保护层从所述表面除去所述烧除临时保护层，从而形成未保护的基底而不实质性损伤所述表面。