[发明专利]用于具有静电保持的动态遮光物的控制电路系统和相关联方法在审

专利信息
申请号: 202180045927.5 申请日: 2021-07-15
公开(公告)号: CN115997064A 公开(公告)日: 2023-04-21
发明(设计)人: 杰弗里·科斯库利奇;赛义德·乌扎尔·艾哈迈德 申请(专利权)人: 佳殿玻璃有限公司
主分类号: E06B9/264 分类号: E06B9/264
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 罗松梅;潘剑颖
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 具有 静电 保持 动态 遮光 控制电路 系统 相关 方法
【权利要求书】:

1.一种隔离玻璃IG单元,所述IG单元包括:

第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板各自具有内部主表面和外部主表面,所述第一基板的所述内部主表面面向所述第二基板的所述内部主表面;

间隔件系统,所述间隔件系统有助于使所述第一基板和所述第二基板保持彼此基本上平行间隔开的关系并且在所述第一基板与所述第二基板之间限定间隙;

能够动态控制的遮光物,所述能够动态控制的遮光物插置在所述第一基板与所述第二基板之间,所述遮光物包括:

第一导电层,所述第一导电层直接或间接地设置在所述第一基板的所述内部主表面上;以及

光闸,所述光闸包括至少一个聚合物基板、第一导电涂层和第二导电涂层以及第一电介质层和第二电介质层,其中所述至少一个聚合物基板能够延伸到光闸闭合位置并且能够回缩到光闸打开位置;以及

控制电路,所述控制电路包括耦接到功率源和所述遮光物的升压变压器,所述升压变压器能够控制以产生用于对所述遮光物进行充电的电压并且对累积的遮光物电容进行放电。

2.根据权利要求1所述的IG单元,其中所述第一导电涂层和/或所述第二导电涂层能够电连接到所述控制电路,所述控制电路被配置成设置电势差以产生静电力,从而将所述至少一个聚合物基板驱动到所述光闸闭合位置。

3.根据权利要求2所述的IG单元,其中所述第一导电涂层和/或所述第二导电涂层能够电连接到所述控制电路,所述控制电路被配置成设置另一电势差以产生静电力,从而将所述至少一个聚合物基板驱动到所述光闸打开位置。

4.根据任一前述权利要求所述的IG单元,其中所述控制电路包括无线接口,所述无线接口被配置成从外部设备无线地接收用于控制所述遮光物的指令,并且其中所述升压变压器能够基于所接收的指令进行控制。

5.根据任一前述权利要求所述的IG单元,其中所述升压变压器被配置成在所述累积的遮光物电容的放电期间对所述功率源进行充电。

6.根据任一前述权利要求所述的IG单元,其中所述升压变压器是反激型变压器。

7.根据权利要求6所述的IG单元,其中所述反激型变压器能够控制以产生两个极性。

8.根据权利要求6或权利要求7所述的IG单元,其中所述反激型变压器的初级侧包括全桥电路,所述全桥电路包括耦接在所述功率源与所述反激型变压器的初级绕组之间的两对开关,所述两对开关能够控制以选择性地提供具有第一极性或第二极性的电压。

9.根据任一前述权利要求所述的IG单元,其中所述控制电路包括耦接在所述升压变压器的输出端与所述遮光物之间的H桥电路。

10.根据权利要求9所述的IG单元,其中所述H桥电路包括第一N沟道MOSFET和第二N沟道MOSFET,所述第一N沟道MOSFET能够控制以将所述升压变压器的所述输出端耦接到所述遮光物,所述第二N沟道MOSFET能够控制以将所述遮光物耦接接地以用于对所述累积的遮光物电容进行放电。

11.根据任一前述权利要求所述的IG单元,其中所述控制电路包括耦接在所述升压变压器的输出端与所述遮光物之间的极性反转电路。

12.根据任一前述权利要求所述的IG单元,所述IG单元还包括传感器,所述传感器被配置成测量所述第一基板的所述外部主表面附近、所述第二基板的所述外部主表面附近和/或所述第一基板与所述第二基板之间的温度和/或光,

其中对所述遮光物电容的所述充电和所述放电能够基于从所述传感器接收的信号进行控制。

13.根据任一前述权利要求所述的IG单元,其中所述升压变压器包括反激型变压器,所述功率源包括电池,并且所述控制电路被配置成控制所述反激型变压器以在所述累积的遮光物电容的放电期间对所述电池进行充电。

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