[发明专利]氮化物半导体晶圆及氮化物半导体晶圆的制造方法在审
| 申请号： | 202180045965.0 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN115997271A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 土屋庆太郎;筱宮胜;菅原孝世 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化物半导体晶圆，其为在单晶硅基板上具有由氮化物半导体构成的器件层的氮化物半导体晶圆，其特征在于，
所述单晶硅基板为CZ单晶硅基板，其电阻率为1000Ω·cm以上、氧浓度为5.0×1016原子/cm3(JEIDA)以上2.0×1017原子/cm3(JEIDA)以下、氮浓度为5.0×1014原子/cm3以上。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体晶圆，其特征在于，在所述单晶硅基板上具有由氮化物半导体或金属构成的中间层，在该中间层上具有所述由氮化物半导体构成的器件层。
3.一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其为在单晶硅基板上使氮化物半导体薄膜外延生长的氮化物半导体晶圆的制造方法，其特征在于，
作为所述单晶硅基板，使用通过CZ法制造且电阻率为1000Ω·cm以上、氧浓度为5.0×1016原子/cm3(JEIDA)以上2.0×1017原子/cm3(JEIDA)以下、氮浓度为5.0×1014原子/cm3以上的单晶硅基板，并在该单晶硅基板上使氮化物半导体薄膜外延生长。
4.根据权利要求3所述的氮化物半导体晶圆的制造方法，其特征在于，在所述单晶硅基板上形成由氮化物半导体或金属构成的中间层，并在该中间层上使所述氮化物半导体薄膜生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
