[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202180046426.9 申请日: 2021-07-05
公开(公告)号: CN115735208A 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 冈本佑树;伊藤港;上妻宗广 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G06G7/60 分类号: G06G7/60
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

包括第一存储电路部及第一运算电路部的第一运算块;

包括第二存储电路部及第二运算电路部的第二运算块;

第一布线;以及

第二布线,

其中,所述第一存储电路部包括保持多个第一权重数据的第一存储电路,

所述第二存储电路部包括保持多个第二权重数据的第二存储电路,

所述第一运算电路部包括第一运算电路、第一切换电路及第三切换电路,

所述第二运算电路部包括第二运算电路、第二切换电路及第四切换电路,

所述第一切换电路具有将所述多个第一权重数据中的任一个供应到所述第一布线的功能,

所述第二切换电路具有将所述多个第二权重数据中的任一个供应到所述第二布线的功能,

所述第三切换电路具有将供应到所述第一布线的所述第一权重数据和供应到所述第二布线的所述第二权重数据中的任一个供应到所述第一运算电路的功能,

并且,所述第四切换电路具有将供应到所述第一布线的所述第一权重数据和供应到所述第二布线的所述第二权重数据中的任一个供应到所述第二运算电路的功能。

2.一种半导体装置,包括:

包括第一存储电路部及第一运算电路部的第一运算块;

包括第二存储电路部及第二运算电路部的第二运算块;

第一布线;以及

第二布线,

其中,所述第一存储电路部包括保持多个第一权重数据的第一存储电路,

所述第二存储电路部包括保持多个第二权重数据的第二存储电路,

所述第一运算电路部包括第一运算电路、第一切换电路及第三切换电路,

所述第二运算电路部包括第二运算电路、第二切换电路及第四切换电路,

所述第一切换电路具有将所述多个第一权重数据中的任一个供应到所述第一布线的功能,

所述第二切换电路具有将所述多个第二权重数据中的任一个供应到所述第二布线的功能,

将所述多个第一权重数据中的任一个供应到所述第一布线的工作与将所述多个第二权重数据中的任一个供应到所述第二布线的工作在不同期间进行,

所述第三切换电路具有将供应到所述第一布线的所述第一权重数据和供应到所述第二布线的所述第二权重数据中的任一个供应到所述第一运算电路的功能,

所述第四切换电路具有将供应到所述第一布线的所述第一权重数据和供应到所述第二布线的所述第二权重数据中的任一个供应到所述第二运算电路的功能,

并且,将供应到所述第一布线的所述第一权重数据供应到所述第一运算电路的工作与将供应到所述第二布线的所述第二权重数据供应到所述第二运算电路的工作在不同期间进行。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,

其中所述第一存储电路部设置于层叠在包括所述第一运算电路部的层上的层,

并且所述第二存储电路部设置于层叠在包括所述第二运算电路部的层上的层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,

其中所述第一运算电路及所述第二运算电路分别独立地进行积和运算处理。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,

其中所述第一存储电路部及所述第二存储电路部各自包括第一晶体管,

并且所述第一晶体管包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的半导体层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,

其中所述金属氧化物包含In、Ga及Zn。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置,

其中所述第一运算电路部及所述第二运算电路部各自包括第二晶体管,

并且所述第二晶体管包括在沟道形成区域中包含硅的半导体层。

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