[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，在主单元区域(Rm)及感测单元区域(Rs)中形成有相同构造的纵型的半导体开关元件，其特征在于，

上述半导体开关元件具有：

第1导电型的漂移层(2)；

第2导电型的沟道层(3)，形成在上述漂移层上；

第1导电型的第1杂质区域(4)，形成在上述沟道层内的该沟道层的表层部，杂质浓度比上述漂移层高；

栅极绝缘膜(6)，将上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述沟道层覆盖；

栅极电极层(8)，以一个方向为较长方向而排列有多条从而以条状配置，形成在上述栅极绝缘膜的表面，从而对于上述沟道层形成沟道区域；

第1或第2导电型的第2杂质区域(1)，隔着上述漂移层而形成在与上述沟道层相反的一侧，杂质浓度比上述漂移层高；

上部电极(10)，与上述第1杂质区域及上述沟道层电连接；以及

下部电极(12)，与上述第2杂质区域电连接；

上述感测单元区域被规定为将作为感测单元而形成的上述半导体开关元件的工作区域包围的四边形的区域，将与该主单元区域的上述一个方向相同方向的尺寸设为横向尺寸，将与该横向尺寸垂直的方向的尺寸设为纵向尺寸，上述纵向尺寸为上述横向尺寸以上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

相对于在上述主单元区域中以条状配置的上述栅极电极层的间距，在上述感测单元区域中以条状配置的上述栅极电极层的间距较长。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述感测单元区域包含多个作为感测单元而形成的上述半导体开关元件的工作区域，被规定为将多个工作区域包围的四边形的区域。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

作为上述多个工作区域，在上述纵向上排列配置有2个上述工作区域。

5.一种半导体装置，在主单元区域(Rm)及感测单元区域(Rs)中形成有相同构造的纵型的半导体开关元件，其特征在于，

上述半导体开关元件具有：

第1导电型的漂移层(2)；

第2导电型的沟道层(3)，形成在上述漂移层上；

第1导电型的第1杂质区域(4)，形成在上述沟道层内的该沟道层的表层部，杂质浓度比上述漂移层高；

栅极绝缘膜(6)，将上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述沟道层覆盖；

栅极电极层(8)，以一个方向作为较长方向而排列有多条从而以条状配置，形成在上述栅极绝缘膜的表面，从而对于上述沟道层形成沟道区域；

第1或第2导电型的第2杂质区域(1)，隔着上述漂移层而形成在与上述沟道层相反的一侧，杂质浓度比上述漂移层高；

上部电极(10)，与上述第1杂质区域及上述沟道层电连接；以及

下部电极(12)，与上述第2杂质区域电连接；

在上述感测单元区域的上述漂移层中，形成有使该漂移层相比于上述主单元区域的上述漂移层而言成为高电阻的电阻成分层(2a)。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有沟槽栅构造，该沟槽栅构造是以下构造：

以上述一个方向为较长方向，形成有从上述第1杂质区域贯通上述沟道层而达到上述漂移层的沟槽(5)，在该沟槽内，隔着上述栅极绝缘膜而形成有上述栅极电极层。