[发明专利]用于快速量测恢复的精确真空窗视口和表膜

说明书

提供了用于极紫外(EUV)辐射系统中的光学量测的系统、设备和方法。示例系统可以包括量测系统和窗口。示例量测系统可以被配置为被设置在第一环境中，并且沿着量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量。示例窗口可以被配置为被设置成与光轴相交，并且将量测系统与第二环境隔离。示例窗口还可以被配置为在辐射收集器的主焦点处将相对于光轴的横向位移限制为与相对于光轴的标称横向位移相差小于约±50微米。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年7月1日提交的题为“PRECISE VACUUM WINDOW VIEWPORTSAND PELLICLES FOR RAPID METROLOGY RECOVERY”的美国申请No.63/046,984的优先权，该美国申请的全部内容通过引用被并入本文中。

技术领域

本公开涉及用于极紫外(EUV)辐射系统的量测系统和窗口。

背景技术

光刻设备是将所需图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(或者被称为掩模或掩模版)可以用于生成要在IC的个体层上形成的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干个裸片的部分)上。图案的转印通常经由成像到被设置在衬底上的辐射敏感材料(例如，抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(扫描方向)上通过辐射束扫描图案、同时同步地平行或反平行于(即反向于)该扫描方向扫描目标部分来辐射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底。

极紫外(EUV)光(例如，具有约50纳米(nm)或更小波长的电磁辐射(有时也被称为软X射线)，并且包括波长为约13nm的光)可以被用于光刻设备中或与光刻设备一起使用，以在衬底(例如硅晶片)中或上产生极小的特征。产生EUV光的方法包括但不一定限于将包括具有在EUV范围内的发射线的元素(例如氙(Xe)、锂(Li)或锡(Sn))的材料转换为等离子态。例如，在一种被称为激光产生等离子体(LPP)的此类方法中，可以利用可以被称为驱动激光的经放大光束通过辐射靶材料来产生等离子体，该靶材料在LPP源的上下文中可互换地被称为燃料(例如以材料的微滴、板、带、流或簇的形式)。对于此过程，等离子体通常在密封容器(例如真空腔室)中产生，并且使用各种类型的量测装备进行监测。

发明内容

本公开描述了用于光学量测的系统、设备和方法的各个方面以及极紫外(EUV)辐射系统中的各个其他方面。

在一些方面，本公开描述了一种用于辐射系统(诸如，EUV辐射系统)中的光学量测的系统。该系统可以包括量测系统，该量测系统被配置为被设置在第一环境中。该量测系统还可以被配置为沿着量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量。第二环境可以不同于第一环境。该窗口可以被配置为被设置成与该光轴相交。该窗口还可以被配置为将量测系统与第二环境隔离。该窗口还可以被配置为在辐射收集器的主焦点处将相对于光轴的横向位移限制为与相对于光轴的标称横向位移相差小于约±50微米。在一些方面，主焦点可以位于距窗口表面约1米的距离处。

在一些方面，窗口可以被配置为将横向位移限制为小于约±33微米。在一些方面，窗口可以被配置为将沿光轴的角偏差限制为与沿光轴的标称角偏差相差小于约±0.5弧分。在一些方面，窗口可以被配置为将角偏差限制为小于约±0.1弧分。在一些方面，窗口可以被配置为沿光轴将纵向位移限制为与相对于主焦点的标称纵向位移相差小于约±330微米。在一些方面，窗口可以被配置为将纵向位移限制为小于约±200微米。