[发明专利]用于自适应功率复用的系统和方法

权利要求书

1.一种片上系统(SOC)，包括：

第一存储器块和第二存储器块；

处理单元，耦合到所述第一存储器块与所述第二存储器块；

第一功率复用器，设置在所述第一存储器块和所述第二存储器块之间，并且耦合到第一功率轨，所述第一功率轨被配置为向所述第一存储器块和所述第二存储器块二者提供操作电压；以及

使能逻辑电路系统，设置在所述SOC的远离所述第一存储器块和所述第二存储器块的外围，所述使能逻辑电路系统耦合到所述第一功率复用器的控制端子。

2.根据权利要求1所述的SOC，还包括第二功率复用器，所述第二功率复用器设置在所述第一存储器块和所述处理单元之间，并且耦合到所述第一功率轨，并且其中所述第一功率复用器与所述第二功率复用器耦合，以向所述第一存储器块输出功率。

3.根据权利要求1所述的SOC，其中所述第一功率复用器是设置在所述第一存储器块和所述第二存储器块之间的存储器通道中的多个功率复用器中的一个功率复用器，所述多个功率复用器耦合到所述使能逻辑电路系统。

4.根据权利要求1所述的SOC，还包括电压发生器，所述电压发生器被配置为通过第二功率轨向所述第一功率复用器提供开关电压。

5.根据权利要求4所述的SOC，其中所述电压发生器设置在所述SOC的外围。

6.根据权利要求4所述的SOC，其中所述电压发生器远离所述SOC的外围并且邻近所述第一存储器块设置。

7.根据权利要求4所述的SOC，其中所述电压发生器包括耦合到所述第二功率轨的多个电压发生器中的一个电压发生器。

8.根据权利要求4所述的SOC，其中所述电压发生器被配置为生成作为由所述第一功率复用器多路复用的第一漏极-漏极电压(VDD)和第二VDD中的较高一者的电压。

9.根据权利要求1所述的SOC，其中所述第一功率复用器包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和第二PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管中的每个MOS晶体管由以下电压来开关：由所述第一功率复用器多路复用的第一漏极-漏极电压(VDD)和第二VDD中的较高一者。

10.一种方法，包括：

选择第一电源作为针对第一存储器块的操作电压，其中所述第一电源由设置在所述第一存储器块和第二存储器块之间的第一功率复用器选择，其中所述选择是在使能逻辑电路系统的控制下的，所述使能逻辑电路系统设置于片上系统(SOC)的远离所述第一存储器块和所述第二存储器块的外围；和

在所述使能逻辑电路系统的控制下，选择第二电源作为针对所述第一存储器块的操作电压。

11.根据权利要求12所述的方法，其中选择所述第一电源包括：由所述第一功率复用器从所述使能逻辑电路系统接收使能信号。

12.根据权利要求12所述的方法，还包括：在所述第一功率复用器的晶体管的控制端子处接收开关电压，所述开关电压关断所述晶体管，此外其中所述开关电压被选择为以下中的较高电压电平：所述第一电源和所述第二电源。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：由在所述SOC的处理单元上运行的功率控制程序来控制所述使能逻辑电路系统。