[发明专利]用于制备聚硅氧烷的前体、聚硅氧烷、聚硅氧烷树脂、用于制备聚硅氧烷的方法、用于制备聚硅氧烷树脂的方法以及光电子器件

权利要求书

1.一种聚硅氧烷，其具有以任意顺序排列相互连接的第一重复单元、第二重复单元和第三重复单元，

其中所述第一重复单元基于第一前体，所述第一前体选自二乙烯基二烷氧基硅烷、取代和未取代的乙烯基二烷氧基硅烷以及单取代和未取代的二烷氧基硅烷，其中所述取代的乙烯基二烷氧基硅烷和所述单取代的二烷氧基硅烷分别彼此独立地具有选自取代和未取代的烷基以及取代和未取代的芳基的取代基，

所述第二重复单元基于第二前体，所述第二前体选自二烷氧基硅烷，所述二烷氧基硅烷具有选自取代和未取代的烷基和取代和未取代的芳基的取代基以及选自取代和未取代的多环芳烃基的取代基，

所述第三重复单元基于第三前体，所述第三前体选自取代的二烷氧基硅烷和取代的二硅烷醇，所述取代的二烷氧基硅烷和取代的二硅烷醇分别具有两个彼此独立地选自取代和未取代的烷基以及取代和未取代的芳基的取代基。

2.根据前一项权利要求所述的聚硅氧烷，其中所述第一前体选自乙烯基苯基二乙氧基硅烷和甲基二乙氧基硅烷，所述第二前体选自9-菲基甲基二甲氧基硅烷、9-菲基苯基二甲氧基硅烷、1-萘基甲基二甲氧基硅烷、2-萘基甲基二甲氧基硅烷、1-萘基苯基二甲氧基硅烷和2-萘基苯基二甲氧基硅烷，所述第三前体选自二甲基二甲氧基硅烷、甲基二甲氧基苯基硅烷和二苯基硅氧烷二醇。

3.根据权利要求1或2所述的聚硅氧烷，其中所述第一重复单元、所述第二重复单元和所述第三重复单元以1:2:2的比例存在于所述聚硅氧烷中。

4.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其中所述第一前体包括乙烯基苯基二乙氧基硅烷，所述聚硅氧烷具有带乙烯基取代基的硅原子。

5.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其中所述第一前体包括甲基二乙氧基硅烷。

6.根据权利要求1至5之一所述的聚硅氧烷，所述聚硅氧烷具有能够在1.57与1.63之间的范围内调节的折射率，其中包括端值。

7.根据权利要求1至6之一所述的聚硅氧烷，所述聚硅氧烷具有在450nm至800nm范围内为95％至100％的透光率。

8.一种聚硅氧烷树脂，具有相互连接的第一聚硅氧烷和第二聚硅氧烷，其中所述第一聚硅氧烷和所述第二聚硅氧烷分别包括以任意顺序排列相互连接的第一重复单元、第二重复单元和第三重复单元，其中所述第二重复单元基于第二前体，所述第二前体选自二烷氧基硅烷，所述二烷氧基硅烷具有选自取代和未取代的烷基和取代和未取代的芳基的取代基以及选自取代和未取代的多环芳烃基的取代基，所述第三重复单元基于第三前体，所述第三前体选自取代的二烷氧基硅烷和取代的二硅烷醇，所述取代的二烷氧基硅烷和取代的二硅烷醇分别具有两个彼此独立地选自取代和未取代的烷基以及取代和未取代的芳基的取代基，

其中所述第一聚硅氧烷的第一重复单元基于选自二乙烯基二烷氧基硅烷以及取代和未取代的乙烯基二烷氧基硅烷的第一前体，并且其中所述第二聚硅氧烷的第一重复单元基于选自单取代和未取代的二烷氧基硅烷的第一前体，其中所述取代的乙烯基二烷氧基硅烷和所述单取代的二烷氧基硅烷分别彼此独立地具有选自取代和未取代的烷基以及取代和未取代的芳基的取代基。

9.根据前一项权利要求所述的聚硅氧烷树脂，其中第一聚硅氧烷和第二聚硅氧烷以选自2:1至1:2范围内的相互比例存在于所述聚硅氧烷树脂中，其中包括端值。