[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板处理方法以及程序

说明书

基板处理装置具有：第1喷嘴，其与使所述多张基板在反应管内排列的基板排列区域中的供多个产品基板排列的第1区域相对应地配置，向反应管内供给含氢气体；第2喷嘴，其与第1区域相对应地配置，向反应管内供给含氧气体；第3喷嘴，其与比第1区域靠底开口侧的、供虚设基板或者隔热体排列的第2区域相对应地配置，向反应管内供给稀释气体；以及控制部，其构成为能够控制从第1喷嘴供给的含氢气体的供给和从第3喷嘴供给的稀释气体的供给，以使得第2区域的含氢气体浓度比第1区域的含氢气体浓度低，第1喷嘴由多根多孔喷嘴构成，该多根多孔喷嘴具有与在基板的排列方向上将包括第1区域但不包括第2区域的区域分割而成的分割区域相对应的喷射孔。

技术领域

本公开涉及一种基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板处理方法以及程序。

背景技术

作为半导体器件(半导体设备)的制造工序的一个工序，存在如下工序：在反应管内在基板的表面形成氧化膜。在该氧化膜形成工序中，有时将多张基板以隔开间隔的方式装载于反应室内，同时进行处理(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-62528号公报

发明内容

多张基板在反应室内的配置场所不同，从而有时在基板形成的氧化膜的膜厚不同(负载效应：Loading effect)。为了解决该课题，需要维持反应室内的氧化气体的浓度的均匀性。因此，想到调整向反应室内供给的气体的流量，但为了使膜厚的均匀性提高，要求进一步的研究。

本公开是考虑上述事实而做成的，提供一种不管基板的配置位置如何，都能够使氧化膜的厚度的均匀性提高的技术。

根据本公开的一形态，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具有：反应管，其具有供多张基板出入的底开口，用于处理所述多张基板；保持器具，其在所述反应管内使所述多张基板排列而保持于基板排列区域；第1喷嘴，其与所述基板排列区域中的供多个产品基板排列的第1区域相对应地配置，从与该第1区域相对应的多个部位向所述反应管内供给含氢气体；第2喷嘴，其与所述第1区域相对应地配置，从与该第1区域相对应的位置向所述反应管内供给含氧气体；第3喷嘴，其与第2区域相对应地配置，从与该第2区域相对应的位置向所述反应管内供给稀释气体，其中，该第2区域与所述第1区域相比位于所述底开口侧，且供保持于所述保持器具的虚设基板或者隔热体排列；排气口，其用于对所述反应管内进行排气；以及控制部，其构成为能够控制从所述第1喷嘴供给的所述含氢气体的供给和从所述第3喷嘴供给的所述稀释气体的供给，以使得所述第2区域的所述含氢气体的浓度比所述第1区域的所述含氢气体的浓度低，所述第1喷嘴由多根多孔喷嘴构成，其中，该多根多孔喷嘴具有与在基板的排列方向上将包括所述第1区域但不包括所述第2区域的区域分割而成的分割区域相对应的喷射孔。

发明效果

根据本公开，能够提供不管基板的配置位置如何，都能够使氧化膜的厚度的均匀性提高的技术。

附图说明

图1是表示基板处理装置的整体图的立体透视图。

图2是表示基板处理装置的热处理炉的结构的截面概略图。

图3是表示基板处理装置的反应管内的结构的截面概略图。

图4A是表示第1实施方式的成膜处理中的反应管内的原子状氧浓度分布浓度的图。

图4B是表示第1实施方式的成膜处理中的反应管内的膜厚偏差的分布的曲线图。

图5是表示基板处理装置的反应管内的另一结构的截面概略图。

图6是表示在反应管内配置有隔热构件的部分的截面概略图。

图7A是表示第2实施方式的图，且是表示在反应管内配置有隔热构件的情况下的原子状氧浓度分布浓度的图。