[发明专利]聚硅氮烷、含有它的硅质膜形成用组合物以及使用它制造硅质膜的方法

权利要求书

1.一种含有N-Si键的聚硅氮烷，其中，具有3个N-Si键的N原子的数量(NA³)与具有2个N-Si键的N原子的数量(NA²)的比(NA³/NA²)为1.8～6.0，

其中，

在所述聚硅氮烷的红外吸收光谱中，存在于3500至3250cm^-1的对应于N-H键的峰和存在于1065至695cm^-1的对应于Si-N键的峰各自定义为对应于N-H键和Si-N键的吸光度，根据下式计算膜厚d(cm)的薄膜中存在的N-H键和Si-N键的键合量/cm³(N)：

N＝A∫α(ω)/ω·dω

其中，

A为比例常数，N-H键中使用A_N-H：2.6×10²⁰(cm^-2)，Si-N键中使用A_Si-N：7.7×10¹⁸(cm^-2)，

α(ω)为吸收系数，ω为波数(cm^-1)，α(ω)＝1/d×吸光度×ln10)，并且

NA²定义为N-H键合量，NA³定义为[(Si-N键合量)-(N-H键合量)×2)]/3。

2.根据权利要求1所述的聚硅氮烷，其中，所述聚硅氮烷是全氢聚硅氮烷。

3.根据权利要求2所述的聚硅氮烷，其中，所述聚硅氮烷含有从由式(Ia)～(If)表示的基团组成的群组中选出的至少一种重复单元和由式(Ig)表示的末端基团：

4.根据权利要求1～3中任一项所述的聚硅氮烷，其中，NA³/NA²为2.0～5.5。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的聚硅氮烷，其中，所述聚硅氮烷的通过凝胶渗透色谱法测定的聚苯乙烯换算的质均分子量为4000～20000。

6.一种硅质膜形成用组合物，其包含权利要求1～5中任一项所述的聚硅氮烷，以及溶剂。

7.一种硅质膜的制造方法，包括将权利要求6所述的硅质膜形成用组合物涂布于基材并加热。

8.根据权利要求7所述的硅质膜的制造方法，其中，所述加热在水蒸气气氛中进行。

9.一种硅质膜，其通过权利要求7或8所述的方法制造。

10.一种电子器件，其包含通过权利要求7或8所述的方法制造的硅质膜。