[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体制造装置的清洗方法及清洗液的清洁度的测量方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其具有：

工序1，使振子与以有机溶剂为主成分的药液接触，以获得由于所述药液的接触导致的所述振子的共振频率的变化量；

工序2，确认所述药液的共振频率的变化量是否包含在基于预先设定的所述药液的纯度的共振频率的变化量的允许范围内；及

工序3，将在所述工序2中确认的药液使用于半导体器件的制造中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述工序3的所述半导体器件的制造中，具有使用所述药液的光刻工序。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其中，

在所述工序1之前，具有浓缩所述药液的浓缩工序。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

在所述工序1之前，具有清洗所述振子的工序。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述工序1中，向所述振子循环供给所述药液，使所述振子与所述药液接触，以获得由于所述药液的接触导致的所述振子的共振频率的变化量。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述工序1在恒定地保持所述药液的温度的情况下实施。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述工序1的所述药液包括选自Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、Ti及Zn中的至少1种金属元素，所述金属元素的合计含量为0.01质量ppq～10质量ppb。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述振子由包含吸附所述药液中的杂质的吸附层及晶体振子的晶体振子传感器构成，

具有：

振荡部，其使所述振子以共振频率振动；及

检测部，其与所述晶体振子传感器连接，来检测由于所述药液的接触导致的所述晶体振子的共振频率的变化量。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，

具有将所述药液供给到所述晶体振子传感器，使所述药液与所述晶体振子传感器接触的供给部，

所述工序1具有将所述药液送液到所述晶体振子传感器，使所述药液与所述晶体振子传感器接触的工序。

10.根据权利要求8或9所述的半导体器件的制造方法，其中，

使所述药液单向流向所述晶体振子传感器，使所述药液与所述晶体振子传感器接触。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

在所述工序1中，与所述药液接触的接液部的至少一部分由氟系树脂构成。

12.一种半导体制造装置的清洗方法，其具有：

工序1，使振子与以有机溶剂为主成分的药液接触，以获得由于所述药液的接触导致的所述振子的共振频率的变化量；

工序2，确认所述药液的共振频率的变化量是否包含在基于预先设定的所述药液的纯度的共振频率的变化量的允许范围内；及

工序3，将在所述工序2中确认的药液使用于半导体制造装置的清洗中。

13.根据权利要求12所述的半导体制造装置的清洗方法，其中，

所述工序3的所述半导体制造装置的所述清洗具有将所述药液送液到所述半导体制造装置的送液部的工序。

14.根据权利要求12或13所述的半导体制造装置的清洗方法，其中，

在所述工序1之前，具有浓缩所述药液的浓缩工序。