[发明专利]具有非易失性阈值电压偏移补偿的低功率低温CMOS电路在审
申请号: | 202180054859.9 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN116158004A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | D·J·赖利 | 申请(专利权)人: | 微软技术许可有限责任公司 |
主分类号: | H03K19/195 | 分类号: | H03K19/195 |
代理公司: | 北京世辉律师事务所 16093 | 代理人: | 吕世磊 |
地址: | 美国华*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 非易失性 阈值 电压 偏移 补偿 功率 低温 cmos 电路 | ||
1.一种用于与量子位栅极接口连接的系统,包括:
多个器件,被配置为在低温环境中操作,其中与所述多个器件相关联的阈值电压的第一分布具有第一值,所述第一值指示所述阈值电压的扩展度测量;以及
控制逻辑,被耦合到所述多个器件中的每个器件,所述控制逻辑被配置为修改与所述多个器件的每个器件相关联的阈值电压,使得所述第一分布被改变为第二分布,所述第二分布具有所述阈值电压的所述扩展度测量的第二值,所述第二值表示所述多个器件的阈值电压之间的较低变化。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述扩展度测量选自以下项之一:方差、标准差或范围。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述多个器件中的每个器件包括浮置栅极。
4.根据权利要求3所述的系统,其中所述系统包括电荷泵,其中所述多个器件中的每个器件包括用于经由所述电荷泵接收修整电压的端子,并且其中所述控制逻辑还被配置为通过将电荷注入到所述浮置栅极中或者从所述浮置栅极去除电荷来修改与所述多个器件的每个器件相关联的阈值电压。
5.根据权利要求3所述的系统,其中所述系统包括电荷泵,并且其中所述多个器件中的每个器件包括用于经由所述电荷泵接收电压的栅极端子,并且其中所述控制逻辑还被配置为通过将电荷注入到所述浮置栅极中或者从所述浮置栅极去除电荷来修改与所述多个器件中的每个器件相关联的阈值电压。
6.根据权利要求3所述的系统,其中所述系统包括电荷泵,并且其中所述多个器件中的每个器件包括被耦合到分离栅极的端子,用于经由所述电荷泵接收修整电压,并且其中所述控制逻辑还被配置为通过将电荷注入到所述浮置栅极中或者从所述浮置栅极去除电荷来修改与所述多个器件中的每个器件相关联的阈值电压。
7.根据权利要求3所述的系统,其中所述控制逻辑还被配置为确定与所述多个器件中的每个器件相关联的阈值电压。
8.一种系统中的方法,所述系统包括具有相关联的阈值电压的多个器件,所述方法包括:
在低温环境中操作集成电路的同时,确定所述多个器件的阈值电压之间的变化,其中所述多个器件中的每个器件包括浮置栅极;以及
通过以下方式修改与所述多个器件的至少子集相关联的阈值电压:(1)将电荷注入到相应的浮置栅极中或者(2)从相应的浮置栅极去除电荷,使得所述多个器件的阈值电压之间的变化被降低。
9.根据权利要求8所述的方法,其中确定所述变化包括确定扩展度测量选自以下项之一:方差、标准差或范围。
10.根据权利要求8所述的方法,其中确定所述阈值电压之间的所述变化包括:确定与操作相关联的错误率,所述操作与所述集成电路相关联。
11.根据权利要求8所述的方法,其中确定所述阈值电压之间的所述变化包括:确定与所述多个器件中的每个器件相关联的阈值电压。
12.根据权利要求8所述的方法,其中修改与所述多个器件中的每个器件相关联的所述阈值电压包括:经由用于接收所述修整电压的端子来施加电压。
13.根据权利要求8所述的方法,其中修改与所述多个器件中的每个器件相关联的所述阈值电压包括:经由栅极端子来施加电压。
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