[发明专利]磁阻抗传感器元件

说明书

磁阻抗传感器元件(1)具有电磁特性根据从外部作用的磁场而变化的磁感应体(2)以及卷绕于磁感应体(2)的检测线圈(3)，构成为：通过在磁感应体(2)中通脉冲电流或高频电流，从而从检测线圈(3)输出与作用于磁感应体(2)的磁场的强度对应的电压。磁感应体(2)具有第一磁感应部(21)和第二磁感应部(22)，脉冲电流或高频电流在第一磁感应部与第二磁感应部中彼此反向流动。

技术领域

本发明涉及磁阻抗传感器元件。

背景技术

作为高灵敏度、高响应性、低功耗的磁传感器元件，例如如专利文献1所记载，开发了各种磁阻抗传感器元件(以下也酌情称为MI传感器元件)。

该MI传感器元件具有磁感应体和卷绕于其周围的检测线圈。而且，在外部磁场作用于磁感应体的状态下在磁感应体中流过脉冲电流时，基于在检测线圈产生的电压，能够检测外部磁场。也就是，从检测线圈输出与所作用的磁场的大小相应的电压，基于该输出，能够测量磁感应方向上的磁场的大小。因此，理想的是，在外部磁场未作用于磁感应体的状态下，不在检测线圈输出电压。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-78198号公报

发明内容

(发明要解决的课题)

然而，实际上，在磁场未作用于磁感应体的状态下，有时也会从检测线圈输出电压。将该现象称为原点振动。而且，原点振动被认为是利用MI传感器元件的磁阻抗传感器(以下酌情称为“MI传感器”)的输出的偏移(offset)的主因。因此，通过抑制MI传感器元件的原点振动，能够提高MI传感器的性能。

本发明鉴于该课题而提出，旨在提供能抑制原点振动的磁阻抗传感器元件。

(用于解决课题的技术方案)

本发明的第一形态是一种磁阻抗传感器元件，具有电磁特性根据从外部作用的磁场而变化的磁感应体以及卷绕于该磁感应体的检测线圈，所述磁阻抗传感器元件构成为：通过在上述磁感应体中通脉冲电流或高频电流，从而从上述检测线圈输出与作用于上述磁感应体的磁场的强度对应的电压，

上述磁感应体具有第一磁感应部和第二磁感应部，上述脉冲电流或高频电流在上述第一磁感应部与上述第二磁感应部中彼此反向流动。

本发明的第二形态是一种磁阻抗传感器元件，具有：磁感应体，其电磁特性根据从外部作用的磁场而变化；平行导体，其与该磁感应体平行配置；以及检测线圈，其卷绕于上述磁感应体以及平行导体，所述磁阻抗传感器元件构成为：通过在上述磁感应体中通脉冲电流或高频电流，从而从上述检测线圈输出与作用于上述磁感应体的磁场的强度对应的电压，

在上述平行导体中，与在上述磁感应体中流动的上述脉冲电流或高频电流反向地流动脉冲电流或高频电流。

(发明效果)

在上述第一形态的磁阻抗传感器元件中，上述磁感应体具有构成为彼此反向地流过上述脉冲电流或高频电流的第一磁感应部和第二磁感应部。由此，能够抑制原点振动。

上述第二形态的磁阻抗传感器元件具有上述平行导体。而且，在平行导体中与在磁感应体中流动的脉冲电流或高频电流反向地流动脉冲电流或高频电流。由此，能够抑制原点振动。

如上所述，根据上述形态，能够提供能抑制原点振动的磁阻抗传感器元件。

附图说明

图1是实施方式1中的、MI传感器元件的说明图。

图2是实施方式1中的、从基板的法线方向观察的MI传感器元件的说明图。

图3是实施方式1中的、将MI传感器元件的中央端子连接于脉冲电源的状态的电路说明图。

图4是实施方式1中的、将MI传感器元件的第一端子以及第二端子连接于脉冲电源的状态的电路说明图。

图5是比较方式中的、MI传感器元件的说明图。