[发明专利]层叠体的制造方法、层叠体和半导体封装的制造方法在审
| 申请号： | 202180057710.6 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN116133847A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 山田和夫 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | B32B17/10 | 分类号： | B32B17/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层叠 制造 方法 半导体 封装 | ||
1.一种层叠体的制造方法，具有如下工序：
形成前体层叠体的工序，所述前体层叠体依次具有第1玻璃基板、热固化性树脂层、和平均热膨胀系数大于所述第1玻璃基板的第2玻璃基板；
对所述前体层叠体实施加热处理，一边使所述第1玻璃基板和所述第2玻璃基板膨胀一边使所述热固化性树脂层热固化而得到树脂层的工序；以及
将实施了热固化处理的所述前体层叠体冷却而得到具有翘曲的层叠体的工序。
2.根据权利要求1所述的层叠体的制造方法，其中，所述第1玻璃基板与所述第2玻璃基板的平均热膨胀系数的差为0.3～2.0ppm/℃。
3.根据权利要求1或2所述的层叠体的制造方法，其中，所述热固化时的所述热固化性树脂层的温度为400℃以下。
4.根据权利要求1～3中任1项所述的层叠体的制造方法，其中，所述热固化性树脂层的所述热固化以比所述热固化性树脂层的热固化起始温度高20℃以上的温度进行。
5.一种层叠体，其依次具有第1玻璃基板、树脂层和第2玻璃基板，
所述第2玻璃基板的平均热膨胀系数大于所述第1玻璃基板的平均热膨胀系数，
所述层叠体具有翘曲。
6.根据权利要求5所述的层叠体，其中，所述第1玻璃基板的外侧的表面是形成电子设备的面。
7.根据权利要求5所述的层叠体，其中，所述第1玻璃基板、所述树脂层和所述第2玻璃基板以所述第1玻璃基板的外侧的表面成为凸状的方式弯曲，且在弯曲的所述第1玻璃基板上配置有电子设备。
8.根据权利要求5～7中任1项所述的层叠体，其中，所述第1玻璃基板与所述第2玻璃基板的平均热膨胀系数的差为0.3～2.0ppm/℃。
9.根据权利要求5～8中任1项所述的层叠体，其中，所述层叠体的总厚度为0.3～3.0mm。
10.根据权利要求5～9中任1项所述的层叠体，其中，所述层叠体的翘曲量超过0μm且为500μm以下。
11.根据权利要求5～10中任1项所述的层叠体，其中，所述层叠体在250℃加热3小时后的翘曲量超过0μm且为500μm以下。
12.一种半导体封装的制造方法，具有如下工序：
准备层叠体的工序，所述层叠体依次具有第1玻璃基板、树脂层和第2玻璃基板，且所述第2玻璃基板的平均热膨胀系数大于所述第1玻璃基板的平均热膨胀系数，且所述层叠体具有翘曲；
在所述第1玻璃基板的外侧的表面形成再布线层的工序；
将半导体设备与所述再布线层电连接的工序；
使用树脂密封所述半导体设备的工序；以及
将安装有用所述树脂密封了的所述半导体设备的所述再布线层从所述第1玻璃基板剥离的工序。
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