[发明专利]处理异质结光伏电池前体的方法

权利要求书

1.一种处理叠层(10’)的方法，所述叠层包括：

-晶体硅衬底(11)；

-氢化非晶硅的第一钝化层(14)，设置在所述衬底(11)的第一面(11a)上；和

-n掺杂非晶硅的第一层(12)，设置在所述第一钝化层(14)上；

所述方法包括将所述叠层(10’)暴露于由电磁辐射源(40)发射的电磁辐射(20)的步骤，所述衬底(11)的第一面(11a)指向所述电磁辐射源(40)，所述电磁辐射(20)具有300nm和550nm之间的至少一个第一波长和550nm和1100nm之间的至少一个第二波长。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个第二波长在800nm和1100nm之间，并且所述电磁辐射的光谱辐照度在550nm和800nm之间小于或等于0.04W/m²/nm。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述电磁辐射由第一分量和第二分量组成，所述第一分量在300nm和550nm之间，所述第二分量在550nm和1100nm之间，所述第一分量和所述第二分量中的至少一个是单色的。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述电磁辐射(20)具有：

-在300nm和550nm之间的波长范围内测量的第一辐照度(E_A)；

-在550nm和1100nm之间的波长范围内测量的第二辐照度(E_B)；和

-在300nm和1100nm之间的波长范围内测量的总辐照度(E)；

所述第一辐照度大于总辐照度的10％。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在400nm和550nm之间的波长范围内测量所述第一辐照度(E_A)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述电磁辐射包括波长在300nm和550nm之间的第一光子通量(Φ_A)和波长在550nm和1100nm之间的第二光子通量(Φ_B)，所述第一光子通量与所述第二光子通量的比率(Φ_A/Φ_B)小于或等于70/30。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述电磁辐射包括等于所述第一光子通量(Φ_A)和所述第二光子通量(Φ_B)之和的总光子通量，所述总光子通量大于或等于8.95161×10²¹光子/m²/s。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在暴露于电磁辐射(20)的步骤中，所述叠层(10’)的温度低于320℃。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述暴露步骤是连续的。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述暴露步骤按顺序进行。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述叠层(10’)还包括设置在所述掺杂非晶硅的第一层(12)上的导电透明氧化物层(15)。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述叠层(10’)包括：

-氢化非晶硅的第二钝化层(14)，设置在所述衬底(11)的第二面(11b)上，所述衬底的第二面(11b)与所述衬底的第一面(11a)相对；和

-p掺杂非晶硅的第二层(13)，设置在所述第二钝化层上(14)。

13.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述叠层(10’)还包括掺杂p型非晶硅的第二层(13)，所述掺杂非晶硅的第二层(13)也设置在所述第一钝化层(14)上。