[发明专利]材料沉积方法在审
申请号: | 202180058711.2 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN116057668A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | N·戈达德;S·格林塞克;A·布拉兹克斯马丁内斯;E·德法伊 | 申请(专利权)人: | 卢森堡科学技术研究院 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 詹承斌 |
地址: | 卢森堡阿尔*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 材料 沉积 方法 | ||
本发明涉及包括如下的材料沉积方法:使用1‑甲氧基‑2‑丙醇作为溶剂和乙酰丙酮作为改性剂制备Pb(Zrsubgt;x/subgt;,Tisubgt;1‑x/subgt;)Osubgt;3/subgt;的前体溶液;和通过在衬底上旋涂所述前体溶液来形成用于电活性的籽晶层。所述电活性膜可为旋涂或喷墨印刷在籽晶层上的PZT、PZO或BFO。由于在制备所述籽晶层时使用1‑甲氧基‑2‑丙醇,经验显示压电膜的纯(100)取向。这种(100)取向归因于在构成预结晶的籽晶层上形成纳米晶体。
技术领域
本发明涉及微系统制造领域,且特别涉及通过在镀铂硅衬底上喷墨印刷或旋涂沉积获得的电活性(热电或压电或铁电或反铁电或电致伸缩或介电)器件的制造。
发明背景
已经显示,薄膜的晶体取向影响例如压电器件中的电活性膜的铁电性质(Trolier-Mckinstry等人,“Thin Film Piezoelectrics for MEMS”,JournalofElectroceramics,第12期,第7-17页,2004)。结晶取向(100)是特别优选的。
至于用于薄膜沉积的技术,旋涂或喷墨印刷已经显示具有一些益处。喷墨印刷的实例在WO 2020/084066 A1中给出。
然而,文献似乎缺少能够使喷墨印刷或旋涂在衬底上的Pb(Zr,Ti)O3、Bi(Fe,Mn,Ti)O3或PbZrO3的薄膜达到取向(100)的程序。
发明内容
本发明解决了上述不足,并旨在改善薄膜的压电性质。
如下面将更详细解释的,发明人已经表明,使用1-甲氧基-2-丙醇作为作为用于制备Pb(Zrx,Ti1-x)O3籽晶层(seed layer)的溶剂使得Pb(Zr,Ti)O3、(PZT)、Bi(Fe,Mn,Ti)O3(BFO)或PbZrO3(PZO)的薄膜具有(100)的主要结晶取向。在数百种现有溶剂中,发明人已经确定,当制备籽晶层的前体溶液时使用1-甲氧基-2-丙醇对压电层具有出乎预料的且有益的特殊效果。发明人还确定,使用乙酰丙酮作为改性剂进一步增加了这些效果。尽管乙酰丙酮不是必需的,但其可参与进一步改进本方法。
因此,上述问题通过包括如下的材料沉积方法来解决:使用1-甲氧基-2-丙醇作为溶剂和乙酰丙酮作为改性剂制备Pb(Zrx,Ti1-x)O3的前体溶液;和通过在衬底上旋涂所述前体溶液来形成用于压电膜的籽晶层。
前体溶液可(仅)由Pb(Zrx,Ti1-x)O3、1甲氧基-2-丙醇和乙酰丙酮组成。
根据一些有利的实施方案,该方法在没有水的情况下进行。不存在水可避免或减少反应物之间的任何水解反应,并且溶液老化远小于基于水的溶液老化。
衬底可为各种性质的,例如镀铂硅衬底或玻璃衬底。
有利地,x=0,且因此Pb(Zrx,Ti1-x)O3溶液是PbTiO3。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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