[发明专利]固体电解电容器元件及固体电解电容器

说明书

一种固体电解电容器元件，其具备：阳极体、形成于所述阳极体的表面的电介质层、以及覆盖所述电介质层的至少一部分的阴极部。所述阴极部具备覆盖所述电介质层的至少一部分的固体电解质层。所述固体电解质层包含：含有与噻吩化合物对应的单体单元的第1聚合物成分和含有聚合物阴离子的第2聚合物成分。在所述固体电解质层的表层的拉曼光谱中，观察到所述第1聚合物成分所特有的峰，通过使用所述固体电解电容器元件，能够将固体电解电容器的初始的ESR抑制为较低水平。

技术领域

本发明涉及固体电解电容器元件及固体电解电容器。

背景技术

固体电解电容器具备固体电解电容器元件、对固体电解电容器元件进行密封的树脂外装体或壳体、以及与固体电解电容器元件电连接的外部电极。固体电解电容器元件具备阳极体、形成于阳极体的表面的电介质层、以及覆盖电介质层的至少一部分的阴极部。阴极部具备覆盖电介质层的至少一部分的包含导电性高分子及掺杂剂的固体电解质层。

从能够简便地形成固体电解层的观点考虑，固体电解质层的形成常常利用使用包含导电性高分子成分的液态的分散体的方法(例如，专利文献1及2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-58807号公报

专利文献2：国际公开第2014/155422号

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的一个方面的固体电解电容器元件具备：阳极体、形成于上述阳极体的表面的电介质层、以及覆盖上述电介质层的至少一部分的阴极部，上述阴极部具备覆盖上述电介质层的至少一部分的固体电解质层，上述固体电解质层包含含有与噻吩化合物对应的单体单元的第1聚合物成分和含有聚合物阴离子的第2聚合物成分，在上述固体电解质层的表层的拉曼光谱中，观察到上述第1聚合物成分所特有的峰。

本发明的其他方面的固体电解电容器至少具备1个上述的固体电解电容器元件。

根据本发明，能够将固体电解电容器的初始的ESR的增加抑制为较低水平。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的固体电解电容器的截面示意图。

图2是从一个主面侧观察固体电解电容器元件时的正视示意图。

图3是沿着箭头的方向观察图2的固体电解电容器元件的沿III-III线的截面时的截面示意图。

图4是固体电解电容器A1的固体电解质层的拉曼光谱。

图5是固体电解电容器B1的固体电解质层的拉曼光谱。

具体实施方式

在实施方式的说明之前，以下简单地示出现有技术中的问题。

使用分散体的固体电解质层的形成方法由于简便而成为近年的固体电解质层的形成方法的主流。另一方面，在固体电解电容器元件中，在阳极体的至少表层形成有多孔质部。电介质层沿着包含多孔质部的孔的内壁面的阳极体的表面的孔及凹槽(有时称为凹坑。)的内壁面形成。因此，在电介质层的表面，与阳极体的表面的形状相应地形成有微细的凹凸。分散体中包含作为分子量比较高的导电性高分子成分(聚噻吩系高分子等共轭系高分子及掺杂剂等)。因此，如果使用分散体，则难以在电介质层的表面的微细的凹部中高度填充导电性高分子成分。在无法在电介质层的微细的凹部中高度填充导电性高分子成分的情况下，固体电解质层的导电性变低。另外，在分散体中，共轭系高分子的取向也是无规的，因此，难以提高所形成的固体电解质层中的共轭高分子的取向。由此，也存在固体电解质层的导电性变低的倾向。固体电解质层的导电性的降低导致固体电解电容器的ESR的增加、静电容量的降低、或tanδ的增加等固体电解电容器的性能的降低。