[发明专利]半导体用黏合剂、以及半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体用黏合剂，其为包含热塑性树脂、热固性树脂、固化剂及具有至少1个羧基的助熔剂化合物的半导体用黏合剂，其中，

所述助熔剂化合物具有在所述羧基的α位碳上取代有至少1个吸电子基团的结构。

2.根据权利要求1所述的半导体用黏合剂，其中，

所述助熔剂化合物包含具有2个羧基的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的半导体用黏合剂，其中，

所述助熔剂化合物包含下述通式(2-1)或(2-2)所表示的化合物，

式(2-1)及(2-2)中，R¹表示吸电子基团，R²表示氢原子或吸电子基团，R³表示氢原子或1价的有机基团，n表示0至15的整数，另外，存在多个的R³可以彼此相同，也可以不同。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

所述助熔剂化合物包含下述通式(3-1)或(3-2)所表示的化合物，

式(3-1)及(3-2)中，R¹表示吸电子基团，R²表示氢原子或吸电子基团，R³表示氢原子或1价的有机基团，m表示0至10的整数。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

所述助熔剂化合物的熔点为170℃以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

所述热固性树脂含有环氧树脂。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

所述固化剂含有胺类固化剂。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

所述固化剂含有咪唑类固化剂。

9.根据权利要求8所述的半导体用黏合剂，其中，

所述咪唑类固化剂的结构为含有三嗪环的结构。

10.一种半导体装置的制造方法，其中，

所述半导体装置为半导体芯片及配线电路基板各自的连接部彼此电连接而成的半导体装置或多个半导体芯片各自的连接部彼此电连接而成的半导体装置，

所述半导体装置的制造方法包括：通过对权利要求1至9中任一项所述的半导体用黏合剂在加压氛围气下进行加热而使其固化，并通过所固化的所述半导体用黏合剂密封所述连接部的至少一部分的密封工序。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其在所述密封工序之前还包括：

在工作台上配置多个半导体芯片的工序；以及

将所述工作台加热至60至155℃，并且在配置于所述工作台上的所述多个半导体芯片各自上，经由所述半导体用黏合剂依序配置其他半导体芯片，得到多个依序层叠所述半导体芯片、所述半导体用黏合剂及所述其他半导体芯片而成的层叠体的临时固定工序。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其在所述密封工序之前还包括：

在工作台上配置配线电路基板或半导体晶圆的工序；以及

将所述工作台加热至60至155℃，并且在配置于所述工作台上的所述配线电路基板或半导体芯片上，经由所述半导体用黏合剂依序配置多个半导体芯片，得到依序层叠所述配线电路基板、所述半导体用黏合剂及多个所述半导体芯片而成的层叠体或依序层叠所述半导体晶圆、所述半导体用黏合剂及多个所述半导体芯片而成的层叠体的临时固定工序。

13.一种半导体装置，其为半导体芯片及配线电路基板各自的连接部彼此电连接而成的半导体装置、或多个半导体芯片各自的连接部彼此电连接而成的半导体装置，

所述连接部的至少一部分被在加压氛围气下加热而固化的权利要求1至9中任一项所述的半导体用黏合剂的固化物密封。