[发明专利]包括低折射率层的光电子器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件具有多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向的界面部分和非界面部分中延伸，所述多个层包括：

设置在至少所述界面部分中的第一层表面上的(较)低折射率层，所述(较)低折射率层在第一波长范围中的一定波长具有第一折射率；和

设置在所述器件的第二暴露层表面上的较高折射率层，所述较高折射率层在第二波长范围中的一定波长具有第二折射率，以在所述界面部分中限定与所述(较)低折射率层的折射率界面，其中所述第二折射率超过所述第一折射率。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一波长范围选自约315nm-400nm、450nm-460nm、510nm-540nm、600nm-640nm、456nm-624nm、425nm-725nm、350nm-450nm、300nm-450nm、300nm-550nm、300nm-700nm、380nm-740nm、750nm-900nm、380nm-900nm和300nm-900nm之间的至少一者。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其中所述第一折射率在所述第一波长范围内变化不大于约0.4、0.3、0.2和0.1中的至少一者。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中所述第一折射率不大于约1.7、1.6、1.5、1.45、1.4、1.35、1.3和1.25中的至少一者。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的器件，其中所述第一折射率为约1.2-1.6、1.2-1.5、1.25-1.45和1.25-1.4之间的至少一者。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件，其中所述(较)低折射率层包括低折射率材料。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述(较)低折射率层和所述低折射率材料中的至少一者在所述第一波长范围中表现出不大于约0.1、0.08、0.05、0.03和0.01中的至少一者的消光系数。

8.根据权利要求6或7所述的器件，其中所述(较)低折射率层和所述低折射率材料中的至少一者为基本上透明的。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的器件，其中所述(较)低折射率层和所述低折射率材料中的至少一者在其内包括至少一个空隙。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的器件，其中所述低折射率材料包括有机化合物和有机-无机杂化材料中的至少一者。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的器件，其中所述第二波长范围选自约315nm-400nm、450nm-460nm、510nm-540nm、600nm-640nm、456nm-624nm、425nm-725nm、350nm-450nm、300nm-450nm、300nm-550nm、300nm-700nm、380nm-740nm、750nm-900nm、380nm-900nm和300nm-900nm之间的至少一者。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的器件，其中所述第二波长范围与所述第一波长范围不同。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的器件，其中所述第二折射率为至少约1.7、1.8和1.9中的至少一者。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的器件，其中所述第二折射率超过所述第一折射率至少约0.3、0.4、0.5、0.7、1.0、1.2、1.3、1.4和1.5中的至少一者。