[发明专利]氧化锆增韧的氧化铝陶瓷烧结体

权利要求书

1.一种具有至少一个表面的烧结陶瓷体，所述烧结陶瓷体包含：包含Al₂O₃的第一结晶相和8体积％至20体积％的包含ZrO₂的第二结晶相，其中所述第一结晶相为连续基体，并且所述第二结晶相分散在所述连续基体中，其中所述烧结陶瓷体具有孔，其中所述孔具有如通过SEM测量的0.1μm至5μm的最大孔径，其中如根据ASTME228-17所测量，烧结陶瓷体在25℃-200℃至25℃-1400℃的温度范围内表现出6.899×10^-6/℃至9.630×10^-6/℃的热膨胀系数，其中所述烧结陶瓷体具有99％至100％的相对密度并且在最大尺寸上具有0.2％至小于5％的密度变化，其中所述最大尺寸为200mm至625mm，并且其中Si不存在于所述烧结陶瓷体中或者其以100ppm或更少的量存在于所述烧结陶瓷体中。

2.根据权利要求1所述的烧结陶瓷体，其中所述第二结晶相以12％至25％的量存在。

3.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，其中所述第二结晶相以所述烧结陶瓷体的5体积％至15体积％的量存在。

4.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，其中Si以14ppm至100ppm存在。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的烧结陶瓷体，其中如果存在，则Si以不超过14ppm存在。

6.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，其中如通过ICPMS所测定，所述烧结陶瓷体的痕量元素Li、Na、Mg、K、Ca、B、P、Fe、Cu、Cr、Zn、In、Sn和Sb(总计)的总杂质含量为50ppm或更少。

7.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，其中如通过ICPMS所测定，所述烧结陶瓷体的痕量元素Li、Na、Mg、K、Ca、B、P、Fe、Cu、Cr、Zn、In、Sn和Sb(总计)的总杂质含量为15ppm或更少。

8.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，其中如通过SEM测量的最大孔径为0.1μm至3μm。

9.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，其中如通过SEM测量的最大孔径为0.1μm至1μm。

10.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，其中所述烧结陶瓷体具有99％至99.99％的相对密度。

11.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，其中所述烧结陶瓷体在未蚀刻区域中的算术平均高度(Sa)为3nm至20nm。

12.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，根据ISO标准25178-2-2012，第4.1.7节，所述烧结陶瓷体在未蚀刻区域中具有0.05μm至1.5μm的最大高度Sz。

13.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，所述烧结陶瓷体在25℃-200℃至25℃-1400℃的温度范围内具有6.685×10^-6/℃至9.630×10^-6/℃的热膨胀系数。

14.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，所述烧结陶瓷体具有99.985％和更高的纯度。

15.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，如根据ASTME1461-13所测量，所述烧结陶瓷体在环境温度下具有约27W/m K的热导率。

16.根据前述权利要求中任一项所述的烧结陶瓷体，如根据ASTME1461-13所测量，所述烧结陶瓷体在200℃下具有约14W/m K的热导率。